창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC026N02KS G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC026N02KS G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.6m옴 @ 50A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 52.7nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7800pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 78W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC026N02KS G-ND BSC026N02KS GTR BSC026N02KSG BSC026N02KSGAUMA1 SP000379664 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC026N02KS G | |
관련 링크 | BSC026N, BSC026N02KS G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | MGV1207R47M-10 | 470nH Shielded Wirewound Inductor 41A 1.2 mOhm Max Nonstandard | MGV1207R47M-10.pdf | |
![]() | MCR10ERTF3921 | RES SMD 3.92K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10ERTF3921.pdf | |
![]() | RCP2512W220RJS6 | RES SMD 220 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512W220RJS6.pdf | |
![]() | AAT73215IGV-2.8-T1 | AAT73215IGV-2.8-T1 AAT SOT23-5 | AAT73215IGV-2.8-T1.pdf | |
![]() | QSP16J2-104 | QSP16J2-104 B SSOP | QSP16J2-104.pdf | |
![]() | CO4805-11.0592M-EXT-TR | CO4805-11.0592M-EXT-TR RALTRON CO48Series11.0592M | CO4805-11.0592M-EXT-TR.pdf | |
![]() | MPQ2369. | MPQ2369. CSM DIP14 | MPQ2369..pdf | |
![]() | MAX973CSA+T | MAX973CSA+T MAX SOP8 | MAX973CSA+T.pdf | |
![]() | 5962R8752501BCA | 5962R8752501BCA NATIONAL MIL | 5962R8752501BCA.pdf | |
![]() | HZ11A1E | HZ11A1E RENESAS DIP | HZ11A1E.pdf | |
![]() | 4914501 | 4914501 ORIGINAL TSSOP20 | 4914501.pdf | |
![]() | EKMF251ELL470ML25S | EKMF251ELL470ML25S Chemi-con NA | EKMF251ELL470ML25S.pdf |