창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC024NE2LS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSC024NE2LS | |
| PCN 설계/사양 | OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1700pF @ 12V | |
| 전력 - 최대 | 48W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC024NE2LS-ND BSC024NE2LSATMA1 SP000756342 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSC024NE2LS | |
| 관련 링크 | BSC024, BSC024NE2LS 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | PLT0805Z5560LBTS | RES SMD 556 OHM 0.01% 1/4W 0805 | PLT0805Z5560LBTS.pdf | |
![]() | Y17487K20000B0L | RES 7.2K OHM 0.3W 0.1% RADIAL | Y17487K20000B0L.pdf | |
![]() | HMA2701R1V | HMA2701R1V FAIRCHIL SOP4 | HMA2701R1V.pdf | |
![]() | 28C51C0A | 28C51C0A ORIGINAL DIP-8 | 28C51C0A.pdf | |
![]() | ET1011C2-C | ET1011C2-C ORIGINAL SMD or Through Hole | ET1011C2-C.pdf | |
![]() | TH50VSF3780 | TH50VSF3780 TOSHIBA BGA | TH50VSF3780.pdf | |
![]() | SBG1045CT | SBG1045CT DIODES D2PAK | SBG1045CT.pdf | |
![]() | LM79L06 TO-92 | LM79L06 TO-92 CJ SMD or Through Hole | LM79L06 TO-92.pdf | |
![]() | DL1L5XK070S | DL1L5XK070S THINFILMTECHNOLOGY SMD or Through Hole | DL1L5XK070S.pdf | |
![]() | H17001G | H17001G SILICON SOT-223 | H17001G.pdf | |
![]() | DRV135UA-ND | DRV135UA-ND TI SMD or Through Hole | DRV135UA-ND.pdf | |
![]() | TMCUA0E226MTRF | TMCUA0E226MTRF HITACHI SMD or Through Hole | TMCUA0E226MTRF.pdf |