창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC019N02KSGAUMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC019N02KS G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.95m옴 @ 50A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 350µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 85nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13000pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC019N02KS G BSC019N02KS G-ND SP000307376 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC019N02KSGAUMA1 | |
관련 링크 | BSC019N02K, BSC019N02KSGAUMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
CGJ4J2X7R1E474K125AA | 0.47µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGJ4J2X7R1E474K125AA.pdf | ||
VJ0603D180MXCAC | 18pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D180MXCAC.pdf | ||
1SMB30A TR13 | TVS DIODE 30VWM 48.4VC SMB | 1SMB30A TR13.pdf | ||
C503C-ACN-CYCZA342 | Amber 591nm LED Indication - Discrete 2.1V Radial | C503C-ACN-CYCZA342.pdf | ||
TGHLV5K00JE | RES CHAS MNT 5K OHM 5% 200W | TGHLV5K00JE.pdf | ||
148116-5 | 148116-5 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 148116-5.pdf | ||
NFM18CC223R | NFM18CC223R MURATA SMD or Through Hole | NFM18CC223R.pdf | ||
SC14430A3MAGVD | SC14430A3MAGVD NS SMD or Through Hole | SC14430A3MAGVD.pdf | ||
35C202K | 35C202K CSI SOP | 35C202K.pdf | ||
EVQ-P0S02Q | EVQ-P0S02Q PANASONIC SMD or Through Hole | EVQ-P0S02Q.pdf | ||
BYR79-600 | BYR79-600 PHI TO-220-2 | BYR79-600.pdf | ||
MAB1218A-RT1 SOT323-BR | MAB1218A-RT1 SOT323-BR ORIGINAL SOT-323 | MAB1218A-RT1 SOT323-BR.pdf |