창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC019N02KSGAUMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC019N02KS G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.95m옴 @ 50A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 350µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 85nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13000pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC019N02KS G BSC019N02KS G-ND SP000307376 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC019N02KSGAUMA1 | |
관련 링크 | BSC019N02K, BSC019N02KSGAUMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | USF0J101MDD | 100µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | USF0J101MDD.pdf | |
![]() | 4P098F35IST | 9.8304MHz ±30ppm 수정 시리즈 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P098F35IST.pdf | |
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![]() | MS46SR-14-1045-Q1-30X-30R-NC-F | SYSTEM | MS46SR-14-1045-Q1-30X-30R-NC-F.pdf | |
![]() | RK7002A-T116 | RK7002A-T116 ROHM SMD or Through Hole | RK7002A-T116.pdf | |
![]() | BA6162F-T2 | BA6162F-T2 ROHM SOP3.9mm | BA6162F-T2.pdf | |
![]() | STU7NM60 | STU7NM60 ST TO-251 | STU7NM60.pdf | |
![]() | LP2950CZ-5.0/3.3V | LP2950CZ-5.0/3.3V ORIGINAL TO-92 | LP2950CZ-5.0/3.3V.pdf | |
![]() | DS1859E-050 | DS1859E-050 DALLAS TSSOP16 | DS1859E-050.pdf | |
![]() | 6196-VFS | 6196-VFS LEVITON SMD or Through Hole | 6196-VFS.pdf | |
![]() | ECQU2A822KL | ECQU2A822KL PANASONIC SMD or Through Hole | ECQU2A822KL.pdf | |
![]() | NFCC04162ADPAF | NFCC04162ADPAF NICC SMD or Through Hole | NFCC04162ADPAF.pdf |