창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC019N02KSGAUMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSC019N02KS G | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.95m옴 @ 50A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 350µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 85nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13000pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 104W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC019N02KS G BSC019N02KS G-ND SP000307376 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSC019N02KSGAUMA1 | |
| 관련 링크 | BSC019N02K, BSC019N02KSGAUMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | K391K10X7RH5UH5 | 390pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K391K10X7RH5UH5.pdf | |
![]() | SR155A751JAR | 750pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR155A751JAR.pdf | |
![]() | CP00155K600JE66 | RES 5.6K OHM 15W 5% AXIAL | CP00155K600JE66.pdf | |
![]() | RES CHIP 10.0K OHM 1/16W 1% 0402 SMD | RES CHIP 10.0K OHM 1/16W 1% 0402 SMD ORIGINAL SMD or Through Hole | RES CHIP 10.0K OHM 1/16W 1% 0402 SMD.pdf | |
![]() | 50MS51M4X5 | 50MS51M4X5 RUBYCON DIP | 50MS51M4X5.pdf | |
![]() | XC6204B272DR | XC6204B272DR TOREX DFN | XC6204B272DR.pdf | |
![]() | HQ-208 | HQ-208 ORIGINAL SMD or Through Hole | HQ-208.pdf | |
![]() | CSTCE8M00G32A-RO | CSTCE8M00G32A-RO MURATA 3.21.2 | CSTCE8M00G32A-RO.pdf | |
![]() | M818221A-30 | M818221A-30 OKI SOP28 | M818221A-30.pdf | |
![]() | 42C43 | 42C43 ORIGINAL DIP-28 | 42C43.pdf | |
![]() | BUX17C | BUX17C MOT TO-3 | BUX17C.pdf |