창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC019N02KSGAUMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC019N02KS G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.95m옴 @ 50A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 350µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 85nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13000pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC019N02KS G BSC019N02KS G-ND SP000307376 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC019N02KSGAUMA1 | |
관련 링크 | BSC019N02K, BSC019N02KSGAUMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
VCAS06AG18120YAT1A | VARISTOR 0603 | VCAS06AG18120YAT1A.pdf | ||
RS010560R0JE73 | RES 560OHM 10W 5% WW AXIAL | RS010560R0JE73.pdf | ||
FYLF-1110UW3C | FYLF-1110UW3C Foryard 2009 | FYLF-1110UW3C.pdf | ||
1POO | 1POO LINEAR QFN-10 | 1POO.pdf | ||
LB2012T150K-T | LB2012T150K-T TAIYO SMD | LB2012T150K-T.pdf | ||
MQL002-946-T7 | MQL002-946-T7 muRata SMD or Through Hole | MQL002-946-T7.pdf | ||
TPC8114(TE12LQ) | TPC8114(TE12LQ) TOSHIBA SMD or Through Hole | TPC8114(TE12LQ).pdf | ||
UPG2106TB-T1-E3 | UPG2106TB-T1-E3 NEC SC70-6 | UPG2106TB-T1-E3.pdf | ||
TDA7021 | TDA7021 ORIGINAL DIP | TDA7021.pdf | ||
ZBDC25-2575W+ | ZBDC25-2575W+ Mini SMD or Through Hole | ZBDC25-2575W+.pdf | ||
PN4400004 | PN4400004 NCR QFP160 | PN4400004.pdf |