창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC014N03MS G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC014N03MS G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 173nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13000pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 139W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC014N03MS G-ND BSC014N03MSG BSC014N03MSGATMA1 SP000394681 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC014N03MS G | |
관련 링크 | BSC014N, BSC014N03MS G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
155PSB152K2R | 1.5µF Film Capacitor 650V 1500V (1.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 2.264" L x 1.378" W (57.50mm x 35.00mm) | 155PSB152K2R.pdf | ||
CM309E16000000BBNT | 16MHz ±50ppm 수정 30pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | CM309E16000000BBNT.pdf | ||
SIT1602AC-21-18S-26.000000D | OSC XO 1.8V 26MHZ ST | SIT1602AC-21-18S-26.000000D.pdf | ||
MBB02070C3162FRP00 | RES 31.6K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C3162FRP00.pdf | ||
CW0101R470KE733 | RES 1.47 OHM 13W 10% AXIAL | CW0101R470KE733.pdf | ||
EVAL-ADF7020EB2 | EVAL-ADF7020EB2 ADI SMD or Through Hole | EVAL-ADF7020EB2.pdf | ||
AM79C30AJC/1 | AM79C30AJC/1 AMD PLCC | AM79C30AJC/1.pdf | ||
MT48H4M16LFF4-8 | MT48H4M16LFF4-8 N/A BGA | MT48H4M16LFF4-8.pdf | ||
LT1736HVIS8 | LT1736HVIS8 HVI SOP8 | LT1736HVIS8.pdf | ||
MM70C96J | MM70C96J NS DIP | MM70C96J.pdf |