Infineon Technologies BSC010NE2LSI

BSC010NE2LSI
제조업체 부품 번호
BSC010NE2LSI
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
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내부 부품 번호EIS-BSC010NE2LSI
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BSC010NE2LSI
PCN 설계/사양OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)25V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C38A(Ta), 100A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.05m옴 @ 30A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs59nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds4200pF @ 12V
전력 - 최대96W
작동 온도-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지PG-TDSON-8
표준 포장 5,000
다른 이름BSC010NE2LSI-ND
BSC010NE2LSIATMA1
SP000854376
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)BSC010NE2LSI
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