창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC010NE2LS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC010NE2LS | |
PCN 설계/사양 | OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 39A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4700pF @ 12V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC010NE2LS-ND BSC010NE2LSATMA1 SP000776124 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC010NE2LS | |
관련 링크 | BSC010, BSC010NE2LS 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | DSC1121AM1-010.0000 | 10MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | DSC1121AM1-010.0000.pdf | |
![]() | RT1206CRD074K02L | RES SMD 4.02KOHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRD074K02L.pdf | |
![]() | SM2615FTR280 | RES SMD 0.28 OHM 1% 1W 2615 | SM2615FTR280.pdf | |
![]() | ERX-3SJR75 | RES 0.75 OHM 3W 5% AXIAL | ERX-3SJR75.pdf | |
![]() | D629N4800 | D629N4800 AEG MODULE | D629N4800.pdf | |
![]() | LP2960IM-3.3/NOPB | LP2960IM-3.3/NOPB NSC SMD or Through Hole | LP2960IM-3.3/NOPB.pdf | |
![]() | DG613AZ | DG613AZ SIL LLCC | DG613AZ.pdf | |
![]() | WTS322 | WTS322 IR TO-252 | WTS322.pdf | |
![]() | 2N4401,116 | 2N4401,116 NXP SMD or Through Hole | 2N4401,116.pdf | |
![]() | ECWU1H183JB5 | ECWU1H183JB5 PANASONIC SMD | ECWU1H183JB5.pdf | |
![]() | SAA4849PS/VI | SAA4849PS/VI PHI DIP | SAA4849PS/VI.pdf | |
![]() | ZDG211CJ | ZDG211CJ BB DIP | ZDG211CJ.pdf |