창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC010N04LSIATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC010N04LSI | |
주요제품 | Solutions for Embedded Systems | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-channel, 쇼트키, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 37A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.05m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 87nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6200pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 FL(5x6) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | SP000953210 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC010N04LSIATMA1 | |
관련 링크 | BSC010N04L, BSC010N04LSIATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
CSM4Z-A2B3C3-60-7.3728D18 | 7.3728MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC-49S | CSM4Z-A2B3C3-60-7.3728D18.pdf | ||
![]() | 445W31G27M00000 | 27MHz ±30ppm 수정 30pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W31G27M00000.pdf | |
![]() | LXA10T600 | DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220AC | LXA10T600.pdf | |
![]() | P51-2000-S-O-D-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-2000-S-O-D-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | T323B335M025AS | T323B335M025AS KEMET SMD or Through Hole | T323B335M025AS.pdf | |
![]() | TC51N1602ECBTR | TC51N1602ECBTR MICROCHIP SMD or Through Hole | TC51N1602ECBTR.pdf | |
![]() | ADP3419 | ADP3419 AD MSOP | ADP3419.pdf | |
![]() | NJM2761RB2-TE1-#ZZZB | NJM2761RB2-TE1-#ZZZB JRC TVSP10 | NJM2761RB2-TE1-#ZZZB.pdf | |
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![]() | RVD-25V331MG10-R2 | RVD-25V331MG10-R2 ELNA SMD | RVD-25V331MG10-R2.pdf | |
![]() | SUF303B-C | SUF303B-C ORIGINAL SMB DO-214AA | SUF303B-C.pdf |