창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSB044N08NN3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSB044N08NN3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Ta), 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.4m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 97µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 73nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5700pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 78W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-WDSON | |
| 공급 장치 패키지 | MG-WDSON-2, CanPAK M™ | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSB044N08NN3 G-ND BSB044N08NN3G BSB044N08NN3GXUMA1 SP000604542 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSB044N08NN3 G | |
| 관련 링크 | BSB044N0, BSB044N08NN3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SMCG6038AE3/TR13 | TVS DIODE 7.5VWM 13.4VC DO215AB | SMCG6038AE3/TR13.pdf | |
![]() | KSC945CGTA | TRANS NPN 50V 0.15A TO-92 | KSC945CGTA.pdf | |
![]() | RT1206BRD074K3L | RES SMD 4.3K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRD074K3L.pdf | |
![]() | IFX1117GSV33 | IFX1117GSV33 Infineon SOT223-4 | IFX1117GSV33.pdf | |
![]() | AEP26324 | AEP26324 NAIS SMD or Through Hole | AEP26324.pdf | |
![]() | LM1203N/BN | LM1203N/BN NS DIP28 | LM1203N/BN.pdf | |
![]() | RGE-700 | RGE-700 RAYCHEM DIP | RGE-700.pdf | |
![]() | W971GG6JB-25K | W971GG6JB-25K WINBOND FBGA | W971GG6JB-25K.pdf | |
![]() | RB82S181A1 | RB82S181A1 S/PHILIPS CDIP | RB82S181A1.pdf | |
![]() | 75076234/11S | 75076234/11S ORIGINAL SOP | 75076234/11S.pdf | |
![]() | OX16CF950 | OX16CF950 OEG SMD or Through Hole | OX16CF950.pdf |