Infineon Technologies BSB015N04NX3 G

BSB015N04NX3 G
제조업체 부품 번호
BSB015N04NX3 G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
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내부 부품 번호EIS-BSB015N04NX3 G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)3(168시간)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BSB015N04NX3 G
PCN 단종/ EOLMultiple Devices 12/May/2009
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C36A(Ta), 180A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.5m옴 @ 30A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs142nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds12000pF @ 20V
전력 - 최대89W
작동 온도-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스3-WDSON
공급 장치 패키지MG-WDSON-2, CanPAK M™
표준 포장 5,000
다른 이름BSB015N04NX3 G-ND
BSB015N04NX3GXUMA1
SP000597852
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)BSB015N04NX3 G
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