창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSB013NE2LXI | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSB013NE2LXI | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36A(Ta), 163A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.3m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4400pF @ 12V | |
전력 - 최대 | 2.8W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-WDSON | |
공급 장치 패키지 | MG-WDSON-2, CanPAK M™ | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSB013NE2LXI-ND BSB013NE2LXIXUMA1 SP000756346 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSB013NE2LXI | |
관련 링크 | BSB013N, BSB013NE2LXI 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
P6SMB22A-M3/5B | TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC DO-214A | P6SMB22A-M3/5B.pdf | ||
1N5385CE3/TR13 | DIODE ZENER 170V 5W T18 | 1N5385CE3/TR13.pdf | ||
BIR-XM1361-F7 | BIR-XM1361-F7 BRIGHT (ROHS) | BIR-XM1361-F7.pdf | ||
LUC60U20 | LUC60U20 TAIWANG TO-3P | LUC60U20.pdf | ||
1Gigapie | 1Gigapie VIA bGA | 1Gigapie.pdf | ||
A8829CRNG5EP7 | A8829CRNG5EP7 ORIGINAL DIP | A8829CRNG5EP7.pdf | ||
DS9100-B/NO-BRAND | DS9100-B/NO-BRAND MAXIM NA | DS9100-B/NO-BRAND.pdf | ||
MP22A atb4c | MP22A atb4c nec so5 | MP22A atb4c.pdf | ||
PE-65795 | PE-65795 PUISE SMD | PE-65795.pdf | ||
5962-01-342-3466 | 5962-01-342-3466 APEX TO-3 | 5962-01-342-3466.pdf | ||
SDC2D16J-4R7N-LF | SDC2D16J-4R7N-LF coilmaster NA | SDC2D16J-4R7N-LF.pdf |