홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » BS870-7

Diodes Incorporated BS870-7

BS870-7
제조업체 부품 번호
BS870-7
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
BS870-7 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 BS870-7 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. BS870-7 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BS870-7가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
BS870-7 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BS870-7 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BS870-7
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 미준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BS870
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황판매 중단
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C250mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs5옴 @ 200mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds50pF @ 10V
전력 - 최대300mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23-3
표준 포장 3,000
다른 이름BS870DITR
BS870TR
BS870TR-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BS870-7
관련 링크BS87, BS870-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
BS870-7 의 관련 제품
6.2pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm) 251R15S6R2BV4E.pdf
RES 392K OHM 1/2W 1% AXIAL CMF55392K00FHRE.pdf
C4242 FUJI TO-220 C4242.pdf
RIA N16 KOA SOP16 RIA N16.pdf
1/2W 2.0V ST DO-35 1/2W 2.0V.pdf
LM75BDP/DG NXP SMD or Through Hole LM75BDP/DG.pdf
VJ1812A680KXGAT VISHAY 1812C0G68pF1kV VJ1812A680KXGAT.pdf
0402-8K45 ORIGINAL SMD or Through Hole 0402-8K45.pdf
D7203C CHMC DIP8 D7203C.pdf
K9F1G08UOC-PCBOT SAMSUNG TSOP K9F1G08UOC-PCBOT.pdf
SST39VVF1601-900-4C-Y1QE SST BGA48 SST39VVF1601-900-4C-Y1QE.pdf
XC5VLX155FFG1136 ORIGINAL BGA XC5VLX155FFG1136.pdf