창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BMS4007-1E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BMS4007 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.8m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 160nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9700pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220ML | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BMS4007-1E | |
관련 링크 | BMS400, BMS4007-1E 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CL03C330JA3NNNC | 33pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CL03C330JA3NNNC.pdf | |
![]() | SR121A220KARTR1 | 22pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR121A220KARTR1.pdf | |
![]() | 501R18W223KF4E | 0.022µF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.125" L x 0.062" W(3.17mm x 1.57mm) | 501R18W223KF4E.pdf | |
![]() | BTA208X-1000C0,127 | TRIAC 1KV 8A TO220-3 | BTA208X-1000C0,127.pdf | |
![]() | ESR18EZPJ392 | RES SMD 3.9K OHM 5% 1/3W 1206 | ESR18EZPJ392.pdf | |
![]() | AT0402CRD0711R5L | RES SMD 11.5OHM 0.25% 1/16W 0402 | AT0402CRD0711R5L.pdf | |
![]() | PAL16R4DMJ/883B | PAL16R4DMJ/883B MMI CDIP | PAL16R4DMJ/883B.pdf | |
![]() | TCST5113-4114 | TCST5113-4114 VISHAY SMD or Through Hole | TCST5113-4114.pdf | |
![]() | LGHK21256N8J-T | LGHK21256N8J-T ORIGINAL SMD | LGHK21256N8J-T.pdf | |
![]() | LA100-S | LA100-S LEM SMD or Through Hole | LA100-S.pdf | |
![]() | PV32R105A01B00 | PV32R105A01B00 MURATA DIP | PV32R105A01B00.pdf | |
![]() | AS1362-BTTT-18 | AS1362-BTTT-18 austriamicrosystems SMD or Through Hole | AS1362-BTTT-18.pdf |