창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BLP8G27-5Z | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BLP8G27-5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Ampleon USA Inc. | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 2.14GHz | |
| 이득 | 18dB | |
| 전압 - 테스트 | 28V | |
| 정격 전류 | - | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 55mA | |
| 전력 - 출력 | 750mW | |
| 전압 - 정격 | 65V | |
| 패키지/케이스 | 16-VDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 16-HVSON(4x6) | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | 568-12817-2 934068975515 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BLP8G27-5Z | |
| 관련 링크 | BLP8G2, BLP8G27-5Z 데이터 시트, Ampleon USA Inc. 에이전트 유통 | |
| NRS4010T1R0NDGG | 1µH Shielded Wirewound Inductor 1.9A 67.2 mOhm Max Nonstandard | NRS4010T1R0NDGG.pdf | ||
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![]() | RR03J75RTB | RES 75.0 OHM 3W 5% AXIAL | RR03J75RTB.pdf | |
![]() | LMV431ACM5X N09A | LMV431ACM5X N09A NS SOT23-5 | LMV431ACM5X N09A.pdf | |
![]() | CL05A105KP5NNC | CL05A105KP5NNC SAMSUNG SMD or Through Hole | CL05A105KP5NNC.pdf | |
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![]() | CP1E-N40DT-D | CP1E-N40DT-D OMRON SMD or Through Hole | CP1E-N40DT-D.pdf | |
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![]() | b.ehapr8147 | b.ehapr8147 ranasonic SMD or Through Hole | b.ehapr8147.pdf | |
![]() | 4SVP150M | 4SVP150M SANYO SMD | 4SVP150M.pdf | |
![]() | TIBPAL16R6-20MWB 5962-8515503SA | TIBPAL16R6-20MWB 5962-8515503SA TI SMD or Through Hole | TIBPAL16R6-20MWB 5962-8515503SA.pdf |