NXP Semiconductors BLP8G10S-45PJ
- 제조업체 부품 번호
- BLP8G10S-45PJ
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- RF FET
- 간단한 설명
- TRANS LDMOS 45W 4HSOPF
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BLP8G10S-45PJ 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
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창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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BLP8G10S-45PJ 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BLP8G10S-45PJ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BLP8G10S-45P(G) | |
| 기타 관련 문서 | Soldering/Fatigue Alum Bond Wire | |
| 애플리케이션 노트 | AN10896 App Note | |
| 설계 리소스 | RF Products Appl/Design Manual | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS(이중) | |
| 주파수 | 952.5MHz ~ 957.5MHz | |
| 이득 | 20.8dB | |
| 전압 - 테스트 | 28V | |
| 정격 전류 | - | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 224mA | |
| 전력 - 출력 | 2.5W | |
| 전압 - 정격 | 65V | |
| 패키지/케이스 | SOT-1223-1 | |
| 공급 장치 패키지 | 4-HSOPF | |
| 표준 포장 | 100 | |
| 다른 이름 | 934067371118 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BLP8G10S-45PJ | |
| 관련 링크 | BLP8G10, BLP8G10S-45PJ 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
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