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NXP Semiconductors BLP8G10S-45PJ

BLP8G10S-45PJ
제조업체 부품 번호
BLP8G10S-45PJ
제조업 자
제품 카테고리
RF FET
간단한 설명
TRANS LDMOS 45W 4HSOPF
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내부 부품 번호EIS-BLP8G10S-45PJ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)3(168시간)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BLP8G10S-45P(G)
기타 관련 문서Soldering/Fatigue Alum Bond Wire
애플리케이션 노트AN10896 App Note
설계 리소스RF Products Appl/Design Manual
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF FET
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황견적 필요
트랜지스터 유형LDMOS(이중)
주파수952.5MHz ~ 957.5MHz
이득20.8dB
전압 - 테스트28V
정격 전류-
잡음 지수-
전류 - 테스트224mA
전력 - 출력2.5W
전압 - 정격65V
패키지/케이스SOT-1223-1
공급 장치 패키지4-HSOPF
표준 포장 100
다른 이름934067371118
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)BLP8G10S-45PJ
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