창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BLF7G22LS-130,112 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BLF7G22LS-130 | |
PCN 단종/ EOL | EOL 24/Jun/2016 | |
PCN 설계/사양 | Gain Code Mark Removal 29/May/2015 | |
PCN 조립/원산지 | RF Power Transistors Transfer 21/Dec/2013 Assembly/Test Site Transfer 14/Nov/2015 Site Chg 30/Jan/2016 | |
PCN 포장 | Date Code Extended 18/Jul/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Ampleon USA Inc. | |
계열 | - | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 2.11GHz ~ 2.17GHz | |
이득 | 18.5dB | |
전압 - 테스트 | 28V | |
정격 전류 | 28A | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 950mA | |
전력 - 출력 | 30W | |
전압 - 정격 | 65V | |
패키지/케이스 | SOT-502B | |
공급 장치 패키지 | SOT502B | |
표준 포장 | 20 | |
다른 이름 | 568-8662 934063501112 BLF7G22LS-130,112-ND BLF7G22LS130112 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BLF7G22LS-130,112 | |
관련 링크 | BLF7G22LS-, BLF7G22LS-130,112 데이터 시트, Ampleon USA Inc. 에이전트 유통 |
![]() | TLM2AER01JTD | RES SMD 0.01 OHM 5% 1/4W 0805 | TLM2AER01JTD.pdf | |
![]() | BTS410F | BTS410F inf SMD or Through Hole | BTS410F.pdf | |
![]() | 530471310 | 530471310 Molex SMD or Through Hole | 530471310.pdf | |
![]() | TMP47C434N-3514 | TMP47C434N-3514 TOSHIBA DIP42 | TMP47C434N-3514.pdf | |
![]() | MAP31 64M | MAP31 64M NVIDIA BGA | MAP31 64M.pdf | |
![]() | 38510/17504BEA | 38510/17504BEA HARRIS CDIP | 38510/17504BEA.pdf | |
![]() | FOD053LR1_NL | FOD053LR1_NL Fairchi SMD or Through Hole | FOD053LR1_NL.pdf | |
![]() | V23833-G6005-A101 | V23833-G6005-A101 Finisar SMD or Through Hole | V23833-G6005-A101.pdf | |
![]() | BH-211-1A | BH-211-1A COMF SMD or Through Hole | BH-211-1A.pdf | |
![]() | SB80486DX250SX825 | SB80486DX250SX825 INT PQFP | SB80486DX250SX825.pdf | |
![]() | 6DI75MB-050(6*75A500V) | 6DI75MB-050(6*75A500V) FUJI SMD or Through Hole | 6DI75MB-050(6*75A500V).pdf | |
![]() | STM1817RWX7F | STM1817RWX7F ST SOT23 | STM1817RWX7F.pdf |