창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BLF6G21-10G,112 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BLF6G21-10G | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Transfer 14/Nov/2015 Site Chg 30/Jan/2016 | |
| PCN 포장 | Date Code Extended 18/Jul/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 543 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Ampleon USA Inc. | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 트레이 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 2.11GHz ~ 2.17GHz | |
| 이득 | 18.5dB | |
| 전압 - 테스트 | 28V | |
| 정격 전류 | - | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 100mA | |
| 전력 - 출력 | 700mW | |
| 전압 - 정격 | 65V | |
| 패키지/케이스 | SOT-538A | |
| 공급 장치 패키지 | 2-CDIP | |
| 표준 포장 | 20 | |
| 다른 이름 | 568-5104-5 934063436112 BLF6G21-10G,112-ND BLF6G2110G112 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BLF6G21-10G,112 | |
| 관련 링크 | BLF6G21-1, BLF6G21-10G,112 데이터 시트, Ampleon USA Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | 600S9R1BT250XT | 9.1pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 600S9R1BT250XT.pdf | |
![]() | VJ0402D4R3DXAAJ | 4.3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D4R3DXAAJ.pdf | |
![]() | KTR18EZPF20R5 | RES SMD 20.5 OHM 1% 1/4W 1206 | KTR18EZPF20R5.pdf | |
![]() | EX-D200E | EX-D200E OMRON DIP | EX-D200E.pdf | |
![]() | NFSMDM260 | NFSMDM260 ORIGINAL 1812 | NFSMDM260.pdf | |
![]() | MPXV2202GC6U | MPXV2202GC6U freescale SMOUTLNSMTWAXIAL | MPXV2202GC6U.pdf | |
![]() | EZ1580CM-2.5.TR | EZ1580CM-2.5.TR SEMTECH TO263-5 | EZ1580CM-2.5.TR.pdf | |
![]() | R28A | R28A JUNYE SMD or Through Hole | R28A.pdf | |
![]() | TC4011BFN(NM) | TC4011BFN(NM) TOSH SMD or Through Hole | TC4011BFN(NM).pdf | |
![]() | EP4SE290F35C4N | EP4SE290F35C4N ALTERA BGA | EP4SE290F35C4N.pdf | |
![]() | GP2L26BJ000F | GP2L26BJ000F SHARP SMD or Through Hole | GP2L26BJ000F.pdf |