창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BLF6G21-10G,112 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BLF6G21-10G | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Transfer 14/Nov/2015 Site Chg 30/Jan/2016 | |
PCN 포장 | Date Code Extended 18/Jul/2013 | |
카탈로그 페이지 | 543 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Ampleon USA Inc. | |
계열 | - | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 2.11GHz ~ 2.17GHz | |
이득 | 18.5dB | |
전압 - 테스트 | 28V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 100mA | |
전력 - 출력 | 700mW | |
전압 - 정격 | 65V | |
패키지/케이스 | SOT-538A | |
공급 장치 패키지 | 2-CDIP | |
표준 포장 | 20 | |
다른 이름 | 568-5104-5 934063436112 BLF6G21-10G,112-ND BLF6G2110G112 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BLF6G21-10G,112 | |
관련 링크 | BLF6G21-1, BLF6G21-10G,112 데이터 시트, Ampleon USA Inc. 에이전트 유통 |
![]() | F339X126833MDA2B0 | 6800pF Film Capacitor 330V 800V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | F339X126833MDA2B0.pdf | |
![]() | LQW15AN53NG80D | 53nH Unshielded Wirewound Inductor 415mA 696 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15AN53NG80D.pdf | |
![]() | 26151C | 150µH Unshielded Wirewound Inductor 780mA 470 mOhm Max Nonstandard | 26151C.pdf | |
![]() | BP 103-3 | PHOTOTRANSISTOR NPN 850NM | BP 103-3.pdf | |
![]() | MB3607B | MB3607B FUJITSU DIP8 | MB3607B.pdf | |
![]() | XC2VP2-5FGG456 | XC2VP2-5FGG456 XILINX BGA | XC2VP2-5FGG456.pdf | |
![]() | M37777M7A-214GP | M37777M7A-214GP MIT QFP | M37777M7A-214GP.pdf | |
![]() | RMC1/10 180JATP | RMC1/10 180JATP KAMAYA SMD or Through Hole | RMC1/10 180JATP.pdf | |
![]() | KJ34C | KJ34C N/A DIP | KJ34C.pdf | |
![]() | 54LS38LMQB | 54LS38LMQB NS LLCC | 54LS38LMQB.pdf | |
![]() | 74LS490P | 74LS490P TI DIP | 74LS490P.pdf | |
![]() | MPW2136 | MPW2136 Minmax SMD or Through Hole | MPW2136.pdf |