창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BLF6G20LS-140,112 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BLF6G20LS-140 RF Design Manual | |
PCN 단종/ EOL | EOL 24/Jun/2016 | |
PCN 설계/사양 | Gain Code Mark Removal 29/May/2015 | |
PCN 조립/원산지 | RF Power Transistors Transfer 21/Dec/2013 Assembly/Test Site Transfer 14/Nov/2015 Site Chg 30/Jan/2016 | |
PCN 포장 | Date Code Extended 18/Jul/2013 | |
카탈로그 페이지 | 543 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Ampleon USA Inc. | |
계열 | - | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 1.93GHz ~ 1.99GHz | |
이득 | 16.5dB | |
전압 - 테스트 | 28V | |
정격 전류 | 39A | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 1A | |
전력 - 출력 | 35.5W | |
전압 - 정격 | 65V | |
패키지/케이스 | SOT-502B | |
공급 장치 패키지 | SOT502B | |
표준 포장 | 20 | |
다른 이름 | 568-4419 934060897112 BLF6G20LS-140 BLF6G20LS-140-ND BLF6G20LS140112 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BLF6G20LS-140,112 | |
관련 링크 | BLF6G20LS-, BLF6G20LS-140,112 데이터 시트, Ampleon USA Inc. 에이전트 유통 |
![]() | 416F260X2ILT | 26MHz ±15ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F260X2ILT.pdf | |
![]() | SIT8008BI-33-33E-62.500000T | OSC XO 3.3V 62.5MHZ OE | SIT8008BI-33-33E-62.500000T.pdf | |
![]() | RT2512CKB0761K9L | RES SMD 61.9KOHM 0.25% 3/4W 2512 | RT2512CKB0761K9L.pdf | |
![]() | CMF07510R00JKEB | RES 510 OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF07510R00JKEB.pdf | |
![]() | 0402 20R J | 0402 20R J TASUND SMD or Through Hole | 0402 20R J.pdf | |
![]() | MT9V131C12STC | MT9V131C12STC APTINA ILCC48 | MT9V131C12STC.pdf | |
![]() | 51166R-LF1 | 51166R-LF1 MIDCOM SMD or Through Hole | 51166R-LF1.pdf | |
![]() | S-24C04BFJ-TB | S-24C04BFJ-TB SII SOP8 | S-24C04BFJ-TB.pdf | |
![]() | MH0033G | MH0033G NSC CAN | MH0033G.pdf | |
![]() | NEZ4450-4B | NEZ4450-4B ORIGINAL SMD or Through Hole | NEZ4450-4B.pdf | |
![]() | PEB2052NV-1.5 | PEB2052NV-1.5 ORIGINAL SMD or Through Hole | PEB2052NV-1.5.pdf |