창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BLF6G20LS-140,112 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BLF6G20LS-140 RF Design Manual | |
PCN 단종/ EOL | EOL 24/Jun/2016 | |
PCN 설계/사양 | Gain Code Mark Removal 29/May/2015 | |
PCN 조립/원산지 | RF Power Transistors Transfer 21/Dec/2013 Assembly/Test Site Transfer 14/Nov/2015 Site Chg 30/Jan/2016 | |
PCN 포장 | Date Code Extended 18/Jul/2013 | |
카탈로그 페이지 | 543 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Ampleon USA Inc. | |
계열 | - | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 1.93GHz ~ 1.99GHz | |
이득 | 16.5dB | |
전압 - 테스트 | 28V | |
정격 전류 | 39A | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 1A | |
전력 - 출력 | 35.5W | |
전압 - 정격 | 65V | |
패키지/케이스 | SOT-502B | |
공급 장치 패키지 | SOT502B | |
표준 포장 | 20 | |
다른 이름 | 568-4419 934060897112 BLF6G20LS-140 BLF6G20LS-140-ND BLF6G20LS140112 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BLF6G20LS-140,112 | |
관련 링크 | BLF6G20LS-, BLF6G20LS-140,112 데이터 시트, Ampleon USA Inc. 에이전트 유통 |
MLG0603P4N7JT000 | 4.7nH Unshielded Multilayer Inductor 350mA 400 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603P4N7JT000.pdf | ||
Y578729K0000B0L | RES 29K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y578729K0000B0L.pdf | ||
TLC3704IPWR | TLC3704IPWR TI TSSOP | TLC3704IPWR.pdf | ||
EP10K50EQC208 | EP10K50EQC208 ALTERA QFP | EP10K50EQC208.pdf | ||
1098AS-R56N=P3 | 1098AS-R56N=P3 TOKO SMD | 1098AS-R56N=P3.pdf | ||
KDS160 UF | KDS160 UF KEC SOD323 | KDS160 UF.pdf | ||
A1645LK-12 | A1645LK-12 ALLEGRO SMD or Through Hole | A1645LK-12.pdf | ||
ASW350 | ASW350 ASB SOT89 | ASW350.pdf | ||
BD667FN | BD667FN ORIGINAL SOP | BD667FN.pdf | ||
EDI88130LPS100TB | EDI88130LPS100TB EDI DIP | EDI88130LPS100TB.pdf | ||
SI7850DPT1GE3 | SI7850DPT1GE3 ORIGINAL SMD or Through Hole | SI7850DPT1GE3.pdf |