창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BLF6G20LS-140,112 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BLF6G20LS-140 RF Design Manual | |
PCN 단종/ EOL | EOL 24/Jun/2016 | |
PCN 설계/사양 | Gain Code Mark Removal 29/May/2015 | |
PCN 조립/원산지 | RF Power Transistors Transfer 21/Dec/2013 Assembly/Test Site Transfer 14/Nov/2015 Site Chg 30/Jan/2016 | |
PCN 포장 | Date Code Extended 18/Jul/2013 | |
카탈로그 페이지 | 543 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Ampleon USA Inc. | |
계열 | - | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 1.93GHz ~ 1.99GHz | |
이득 | 16.5dB | |
전압 - 테스트 | 28V | |
정격 전류 | 39A | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 1A | |
전력 - 출력 | 35.5W | |
전압 - 정격 | 65V | |
패키지/케이스 | SOT-502B | |
공급 장치 패키지 | SOT502B | |
표준 포장 | 20 | |
다른 이름 | 568-4419 934060897112 BLF6G20LS-140 BLF6G20LS-140-ND BLF6G20LS140112 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BLF6G20LS-140,112 | |
관련 링크 | BLF6G20LS-, BLF6G20LS-140,112 데이터 시트, Ampleon USA Inc. 에이전트 유통 |
MCA12060D4991BP100 | RES SMD 4.99K OHM 0.1% 1/4W 1206 | MCA12060D4991BP100.pdf | ||
Y145518K0000T9R | RES SMD 18K OHM 0.01% 1/5W 1506 | Y145518K0000T9R.pdf | ||
VT83C595 | VT83C595 ORIGINAL SMD or Through Hole | VT83C595.pdf | ||
1N914B/BTB | 1N914B/BTB ORIGINAL DO-35 | 1N914B/BTB.pdf | ||
2SC1112 | 2SC1112 TOSHIBA TO-3 | 2SC1112.pdf | ||
1N2195 | 1N2195 IR SMD or Through Hole | 1N2195.pdf | ||
AN6568 | AN6568 Panasonic DIP8 | AN6568.pdf | ||
44016370-002 | 44016370-002 ORIGINAL HIP66 | 44016370-002.pdf | ||
C11-B0-34-645-131-E | C11-B0-34-645-131-E CarlingTechnologies 45A ONE POLE FLAT RO | C11-B0-34-645-131-E.pdf | ||
DF3672FPV | DF3672FPV RENESAS SMD or Through Hole | DF3672FPV.pdf |