창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BLF6G10LS-200RN:11 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BLF6G10(LS)-200RN | |
PCN 설계/사양 | Skip Gain Binning 06/Jun/2015 | |
PCN 조립/원산지 | RF Power Transistors Transfer 21/Dec/2013 Assembly/Test Site Transfer 14/Nov/2015 Site Chg 30/Jan/2016 | |
PCN 포장 | Date Code Extended 18/Jul/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Ampleon USA Inc. | |
계열 | - | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 871.5MHz ~ 891.5MHz | |
이득 | 20dB | |
전압 - 테스트 | 28V | |
정격 전류 | 49A | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 1.4A | |
전력 - 출력 | 40W | |
전압 - 정격 | 65V | |
패키지/케이스 | SOT-502B | |
공급 장치 패키지 | SOT502B | |
표준 포장 | 20 | |
다른 이름 | 568-8638 934063255112 BLF6G10LS-200RN:11-ND BLF6G10LS200RN11 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BLF6G10LS-200RN:11 | |
관련 링크 | BLF6G10LS-, BLF6G10LS-200RN:11 데이터 시트, Ampleon USA Inc. 에이전트 유통 |
LBY-5F12T7412-3C | LBY-5F12T7412-3C LBY SMD or Through Hole | LBY-5F12T7412-3C.pdf | ||
9018C | 9018C SAM TO-92 | 9018C.pdf | ||
TNC-800T | TNC-800T MJTELCOM DIP | TNC-800T.pdf | ||
BA3308F-T1 | BA3308F-T1 ROHM SOP | BA3308F-T1.pdf | ||
ADP1706ARDZ-1.5-R7 | ADP1706ARDZ-1.5-R7 ADI SMD or Through Hole | ADP1706ARDZ-1.5-R7.pdf | ||
84740002 | 84740002 FCI SMD or Through Hole | 84740002.pdf | ||
ISL3865IR | ISL3865IR INTERSIL MLFP-44 | ISL3865IR.pdf | ||
42817-0032 | 42817-0032 MOLEX SMD or Through Hole | 42817-0032.pdf | ||
1812SC221MAT2A | 1812SC221MAT2A AVX SMD | 1812SC221MAT2A.pdf | ||
MAX171B | MAX171B MAX SMD or Through Hole | MAX171B.pdf | ||
PS2581AL1H | PS2581AL1H NEC 4PIN | PS2581AL1H.pdf | ||
DA204V | DA204V ROHM SMD or Through Hole | DA204V.pdf |