창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BLF6G10LS-200RN:11 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BLF6G10(LS)-200RN | |
PCN 설계/사양 | Skip Gain Binning 06/Jun/2015 | |
PCN 조립/원산지 | RF Power Transistors Transfer 21/Dec/2013 Assembly/Test Site Transfer 14/Nov/2015 Site Chg 30/Jan/2016 | |
PCN 포장 | Date Code Extended 18/Jul/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Ampleon USA Inc. | |
계열 | - | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 871.5MHz ~ 891.5MHz | |
이득 | 20dB | |
전압 - 테스트 | 28V | |
정격 전류 | 49A | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 1.4A | |
전력 - 출력 | 40W | |
전압 - 정격 | 65V | |
패키지/케이스 | SOT-502B | |
공급 장치 패키지 | SOT502B | |
표준 포장 | 20 | |
다른 이름 | 568-8638 934063255112 BLF6G10LS-200RN:11-ND BLF6G10LS200RN11 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BLF6G10LS-200RN:11 | |
관련 링크 | BLF6G10LS-, BLF6G10LS-200RN:11 데이터 시트, Ampleon USA Inc. 에이전트 유통 |
![]() | 416F50013CST | 50MHz ±10ppm 수정 시리즈 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50013CST.pdf | |
![]() | YC324-JK-0747RL | RES ARRAY 4 RES 47 OHM 2012 | YC324-JK-0747RL.pdf | |
![]() | CMF6525K000FKR6 | RES 25K OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF6525K000FKR6.pdf | |
![]() | ZFG0120C | 120 PPR | ZFG0120C.pdf | |
![]() | HE3321A6819 | HE3321A6819 HAMLIN SMD or Through Hole | HE3321A6819.pdf | |
![]() | TLP781-2GR | TLP781-2GR TOS DIPSOP | TLP781-2GR.pdf | |
![]() | BU26TD2WNVX | BU26TD2WNVX ROHM SSON004X1010 | BU26TD2WNVX.pdf | |
![]() | MDD900/16N1B | MDD900/16N1B IXYS SMD or Through Hole | MDD900/16N1B.pdf | |
![]() | W3150A. | W3150A. Wiznet TQFP64 | W3150A..pdf | |
![]() | MAX821RUS | MAX821RUS MAXIM SOP | MAX821RUS.pdf | |
![]() | RWR84S5R00FR | RWR84S5R00FR ORIGINAL SMD or Through Hole | RWR84S5R00FR.pdf |