창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BLF6G10LS-160RN,11 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BLF6G10(LS)-160RN | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 05/Jul/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | RF Power Transistors Transfer 21/Dec/2013 | |
| PCN 포장 | Date Code Extended 18/Jul/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Ampleon USA Inc. | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 트레이 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 922.5MHz ~ 957.5MHz | |
| 이득 | 22.5dB | |
| 전압 - 테스트 | 32V | |
| 정격 전류 | 39A | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 1.2A | |
| 전력 - 출력 | 32W | |
| 전압 - 정격 | 65V | |
| 패키지/케이스 | SOT-502B | |
| 공급 장치 패키지 | SOT502B | |
| 표준 포장 | 20 | |
| 다른 이름 | 568-8637 934063282112 BLF6G10LS-160RN,11-ND BLF6G10LS160RN11 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BLF6G10LS-160RN,11 | |
| 관련 링크 | BLF6G10LS-, BLF6G10LS-160RN,11 데이터 시트, Ampleon USA Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | AISC-1210-3N9J-T | 3.9nH Unshielded Wirewound Inductor 1A 50 mOhm Max Nonstandard | AISC-1210-3N9J-T.pdf | |
![]() | RG3216V-2322-D-T5 | RES SMD 23.2K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216V-2322-D-T5.pdf | |
![]() | 1565357-6 | 1565357-6 AMP SMD or Through Hole | 1565357-6.pdf | |
![]() | 310-7000-311/3QP7A125 | 310-7000-311/3QP7A125 BEL SMD or Through Hole | 310-7000-311/3QP7A125.pdf | |
![]() | TR3D225K050E0800 | TR3D225K050E0800 VISHAY SMD | TR3D225K050E0800.pdf | |
![]() | RTC035-XC1D-A140B-W | RTC035-XC1D-A140B-W TMEC SMD or Through Hole | RTC035-XC1D-A140B-W.pdf | |
![]() | MCR004YZPJ624 | MCR004YZPJ624 ROHM SMD | MCR004YZPJ624.pdf | |
![]() | K817P4 | K817P4 VISHAY DIP-4P | K817P4.pdf | |
![]() | G6J-2FL-5VDC | G6J-2FL-5VDC ORIGINAL DIP | G6J-2FL-5VDC.pdf | |
![]() | BF-SB100505-121 | BF-SB100505-121 caliberelectronicscom/pdfs/bfsbpdf PBFREEOHM | BF-SB100505-121.pdf | |
![]() | M68400P-12PL | M68400P-12PL M DIP | M68400P-12PL.pdf | |
![]() | MH6211EL99 | MH6211EL99 MIT SMD or Through Hole | MH6211EL99.pdf |