창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BLA6G1011L-200RG,1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BLA6G1011(L,LS)-200R(G) | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Transfer 14/Nov/2015 Site Chg 30/Jan/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Ampleon USA Inc. | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 1.03GHz ~ 1.09GHz | |
| 이득 | 20dB | |
| 전압 - 테스트 | 28V | |
| 정격 전류 | 49A | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 100mA | |
| 전력 - 출력 | 200W | |
| 전압 - 정격 | 65V | |
| 패키지/케이스 | SOT-502D | |
| 공급 장치 패키지 | LDMOST | |
| 표준 포장 | 20 | |
| 다른 이름 | 568-8530 934065672112 BLA6G1011L-200RG,1-ND BLA6G1011L-200RG,112 BLA6G1011L-200RG,112-ND BLA6G1011L200RG112 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BLA6G1011L-200RG,1 | |
| 관련 링크 | BLA6G1011L, BLA6G1011L-200RG,1 데이터 시트, Ampleon USA Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | 6LP04S | 6LP04S SANYO SOT-523 | 6LP04S.pdf | |
![]() | US3DA | US3DA TAYCHIPST DO-214AC | US3DA.pdf | |
![]() | NRBX330M250V12.5x20F | NRBX330M250V12.5x20F NIC DIP | NRBX330M250V12.5x20F.pdf | |
![]() | ADF4157BRUZ-RL7 | ADF4157BRUZ-RL7 ADI SMD or Through Hole | ADF4157BRUZ-RL7.pdf | |
![]() | HMC21OMS8 | HMC21OMS8 HITTITC MSOP8 | HMC21OMS8.pdf | |
![]() | B10T-50GCP | B10T-50GCP EON SOP8 | B10T-50GCP.pdf | |
![]() | FA5310D | FA5310D FUJITSU DIP-8 | FA5310D.pdf | |
![]() | 1N2429R | 1N2429R MICROSEMI SMD or Through Hole | 1N2429R.pdf | |
![]() | EVM1DSX30BQ4 | EVM1DSX30BQ4 PAN XX | EVM1DSX30BQ4.pdf | |
![]() | GBK201209T-601Y-S | GBK201209T-601Y-S ORIGINAL ORIGINAL | GBK201209T-601Y-S.pdf | |
![]() | MAX1044APA | MAX1044APA MAX SMD or Through Hole | MAX1044APA.pdf |