창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BLA2ABB121SN4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | BLA2ABB121SN4 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | BLA2ABB121SN4 | |
| 관련 링크 | BLA2ABB, BLA2ABB121SN4 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | MKP383451025JI02W0 | 0.51µF Film Capacitor 125V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.335" W (26.00mm x 8.50mm) | MKP383451025JI02W0.pdf | |
![]() | 416F52022CKT | 52MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52022CKT.pdf | |
![]() | 1N4743CE3/TR13 | DIODE ZENER 13V 1W DO204AL | 1N4743CE3/TR13.pdf | |
![]() | SI4401DDY-T1-GE3 | MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOIC | SI4401DDY-T1-GE3.pdf | |
![]() | FNR2E-0R1F1 | RES CHAS MNT 0.1 OHM 1% 80W | FNR2E-0R1F1.pdf | |
![]() | BLF6G20LS-110 118 | BLF6G20LS-110 118 NXP n a | BLF6G20LS-110 118.pdf | |
![]() | M45PE40VG | M45PE40VG ST 8-VFQFN | M45PE40VG.pdf | |
![]() | MB8118165A60PJ | MB8118165A60PJ FUJITSU SMD or Through Hole | MB8118165A60PJ.pdf | |
![]() | S0007B | S0007B N/A SMD or Through Hole | S0007B.pdf | |
![]() | RA03M8894M | RA03M8894M ORIGINAL SMD or Through Hole | RA03M8894M.pdf | |
![]() | ASM5853F/TR-LF | ASM5853F/TR-LF ALSEMI DFN | ASM5853F/TR-LF.pdf | |
![]() | EA603B 3P 500A | EA603B 3P 500A FUJI SMD or Through Hole | EA603B 3P 500A.pdf |