창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BK/GDB-V-500MA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GDB Series | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | 퓨즈 | |
제조업체 | Eaton | |
계열 | GDB | |
포장 | 벌크 | |
퓨즈 유형 | 카트리지, 유리 | |
정격 전류 | 500mA | |
정격 전압 - AC | 250V | |
정격 전압 - DC | - | |
응답 시간 | 고속 | |
패키지/케이스 | 5mm x 20mm(축방향) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
차단 용량 @ 정격 전압 | 35A | |
용해 I²t | 0.18 | |
승인 | UL, VDE | |
작동 온도 | - | |
색상 | - | |
크기/치수 | 0.218" Dia x 0.831" L(5.54mm x 21.10mm) | |
DC 내한성 | 0.26옴 | |
표준 포장 | 100 | |
다른 이름 | BK-GDB-V-500MA GDB-V-500MA | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BK/GDB-V-500MA | |
관련 링크 | BK/GDB-V, BK/GDB-V-500MA 데이터 시트, Eaton 에이전트 유통 |
![]() | S3D-E3/57T | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB | S3D-E3/57T.pdf | |
![]() | NSS40300MDR2G | TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC | NSS40300MDR2G.pdf | |
![]() | EXB-V8V2R4JV | RES ARRAY 4 RES 2.4 OHM 1206 | EXB-V8V2R4JV.pdf | |
![]() | Y0065321R00T0L | RES 321 OHM 10W 0.01% RADIAL | Y0065321R00T0L.pdf | |
![]() | AT49F040A-55J1 | AT49F040A-55J1 AT SMD or Through Hole | AT49F040A-55J1.pdf | |
![]() | 4002-150SI | 4002-150SI ISD SOP-28 | 4002-150SI.pdf | |
![]() | LMC556CM | LMC556CM NSC SOP-8 | LMC556CM.pdf | |
![]() | 10A80B | 10A80B ORIGINAL D2PAK | 10A80B.pdf | |
![]() | AT93C46.SC1.8 | AT93C46.SC1.8 ATMEL SOP | AT93C46.SC1.8.pdf | |
![]() | FE30F | FE30F GIE TO-3P | FE30F.pdf | |
![]() | AM5480N-T1-PF | AM5480N-T1-PF ORIGINAL DFN2X3 | AM5480N-T1-PF.pdf | |
![]() | UPD703102CJ-33 | UPD703102CJ-33 NEC QFP | UPD703102CJ-33.pdf |