창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BGT80E6327XTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMT-Ready E-Band Radio Frontend Brief BGT70/80 Backhaul Trans Chipsets Brief | |
| 종류 | RF/IF 및 RFID | |
| 제품군 | RF 트랜시버 IC | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | TxRx만 해당 | |
| RF 제품군/표준 | 셀룰러 | |
| 프로토콜 | LTE, WiMAX | |
| 변조 | QPSK | |
| 주파수 | 71GHz ~ 86GHz | |
| 데이터 전송률(최대) | - | |
| 전력 - 출력 | 12dBm | |
| 감도 | - | |
| 메모리 크기 | - | |
| 직렬 인터페이스 | SPI | |
| GPIO | 24 | |
| 전압 - 공급 | 12V | |
| 전류 - 수신 | - | |
| 전류 - 전송 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 패키지/케이스 | 119-WFBGA | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP001267812 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BGT80E6327XTSA1 | |
| 관련 링크 | BGT80E632, BGT80E6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | MKP383382100JIM2T0 | 0.082µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.335" W (26.00mm x 8.50mm) | MKP383382100JIM2T0.pdf | |
![]() | SMDJ110A-HRA | TVS DIODE 110VWM 177VC SMD | SMDJ110A-HRA.pdf | |
![]() | MHQ0402P3N3CT000 | 3.3nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 500 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MHQ0402P3N3CT000.pdf | |
![]() | RE1206FRE07187RL | RES SMD 187 OHM 1% 1/4W 1206 | RE1206FRE07187RL.pdf | |
![]() | CMF6096R250BHEB | RES 96.25 OHM 1W 0.1% AXIAL | CMF6096R250BHEB.pdf | |
![]() | S2SMAD | S2SMAD SEMIKRON SMA DO-214AC | S2SMAD.pdf | |
![]() | TSX-3225 26MHZ | TSX-3225 26MHZ EPSONAPPLE SMD | TSX-3225 26MHZ.pdf | |
![]() | M145028D | M145028D ST SMD or Through Hole | M145028D.pdf | |
![]() | 5934B2C-ASB-A | 5934B2C-ASB-A HUIYUAN ROHS | 5934B2C-ASB-A.pdf | |
![]() | DCR1673SA27 | DCR1673SA27 DYNEX Module | DCR1673SA27.pdf |