창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BGSF110GN26E6327XTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BGSF110GN26 | |
종류 | RF/IF 및 RFID | |
제품군 | RF 스위치 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
주파수 - 하부 | 100MHz | |
주파수 - 상부 | 3.8GHz | |
절연 @ 주파수 | 40dB @ 3GHz(일반) | |
삽입 손실 @ 주파수 | 1.3dB @ 3GHz | |
IIP3 | - | |
토폴로지 | - | |
회로 | SP10T | |
P1dB | - | |
특징 | - | |
임피던스 | 50옴 | |
작동 온도 | -30°C ~ 85°C | |
전압 - 공급 | 2.4 V ~ 3.3 V | |
RF 유형 | GSM, LTE, W-CDMA | |
패키지/케이스 | 26-WFQFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | PG-TSNP-26-2 | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | BGSF110GN26E6327XTSA1-ND BGSF110GN26E6327XTSA1TR SP001006660 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BGSF110GN26E6327XTSA1 | |
관련 링크 | BGSF110GN26E, BGSF110GN26E6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | C941U470JZNDBAWL35 | 47pF 440VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.433" Dia(11.00mm) | C941U470JZNDBAWL35.pdf | |
![]() | TC1262-2.5 | TC1262-2.5 MICREL SOT223 | TC1262-2.5.pdf | |
![]() | G8P-1A4P 12VDC | G8P-1A4P 12VDC OMRON DIP | G8P-1A4P 12VDC.pdf | |
![]() | S7221A2 | S7221A2 ORIGINAL IC16DIP | S7221A2.pdf | |
![]() | U8531 | U8531 ORIGINAL SMD or Through Hole | U8531.pdf | |
![]() | IR021P | IR021P IR DIP | IR021P.pdf | |
![]() | FS7140-1G | FS7140-1G AMIS SMD16 | FS7140-1G.pdf | |
![]() | PCR-E50LMDA+ | PCR-E50LMDA+ HondaConnectors SMD or Through Hole | PCR-E50LMDA+.pdf | |
![]() | WP91966L1 | WP91966L1 NS PLCC | WP91966L1.pdf | |
![]() | 74HC4052WM | 74HC4052WM NSC SMD or Through Hole | 74HC4052WM.pdf | |
![]() | LKG1C822MESBCK | LKG1C822MESBCK NICHICON DIP | LKG1C822MESBCK.pdf |