창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BGSF110GN26E6327XTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BGSF110GN26 | |
종류 | RF/IF 및 RFID | |
제품군 | RF 스위치 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
주파수 - 하부 | 100MHz | |
주파수 - 상부 | 3.8GHz | |
절연 @ 주파수 | 40dB @ 3GHz(일반) | |
삽입 손실 @ 주파수 | 1.3dB @ 3GHz | |
IIP3 | - | |
토폴로지 | - | |
회로 | SP10T | |
P1dB | - | |
특징 | - | |
임피던스 | 50옴 | |
작동 온도 | -30°C ~ 85°C | |
전압 - 공급 | 2.4 V ~ 3.3 V | |
RF 유형 | GSM, LTE, W-CDMA | |
패키지/케이스 | 26-WFQFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | PG-TSNP-26-2 | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | BGSF110GN26E6327XTSA1-ND BGSF110GN26E6327XTSA1TR SP001006660 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BGSF110GN26E6327XTSA1 | |
관련 링크 | BGSF110GN26E, BGSF110GN26E6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
202S41W272KV4E | 2700pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.125" L x 0.095" W(3.18mm x 2.41mm) | 202S41W272KV4E.pdf | ||
CX3225SB49152D0GPSCC | 49.152MHz ±15ppm 수정 8pF 50옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX3225SB49152D0GPSCC.pdf | ||
RG2012N-164-D-T5 | RES SMD 160K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012N-164-D-T5.pdf | ||
RG2012N-242-W-T5 | RES SMD 2.4K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-242-W-T5.pdf | ||
RWM04102200JR15E1 | RES WIREWOUND 220 OHM 3W | RWM04102200JR15E1.pdf | ||
ES1B 10-70C | THERMOSENS IR 12-24V 10-70DEG C | ES1B 10-70C.pdf | ||
STC12L5630AD | STC12L5630AD STC SOPDIP | STC12L5630AD.pdf | ||
TCN4041E-1.2ENB | TCN4041E-1.2ENB TelCom SOT-23 | TCN4041E-1.2ENB.pdf | ||
LP2956AIN | LP2956AIN NS DIP | LP2956AIN.pdf | ||
LFBK1608LL301-T | LFBK1608LL301-T TAIYO SMD | LFBK1608LL301-T.pdf | ||
mt29f4g16abadaw | mt29f4g16abadaw micron SMD or Through Hole | mt29f4g16abadaw.pdf | ||
TP0101T-T1 | TP0101T-T1 ORIGINAL SOT-23 | TP0101T-T1 .pdf |