창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BGS13S2N9E6327XTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BGS13S2N9 | |
| 종류 | RF/IF 및 RFID | |
| 제품군 | RF 스위치 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 주파수 - 하부 | 100MHz | |
| 주파수 - 상부 | 3GHz | |
| 절연 @ 주파수 | 23dB @ 3GHz(일반) | |
| 삽입 손실 @ 주파수 | 0.55dB @ 3GHz | |
| IIP3 | - | |
| 토폴로지 | - | |
| 회로 | SP3T | |
| P1dB | - | |
| 특징 | - | |
| 임피던스 | 50옴 | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 전압 - 공급 | 1.8 V ~ 3.3 V | |
| RF 유형 | - | |
| 패키지/케이스 | 9-XFLGA | |
| 공급 장치 패키지 | TSNP-9-3 | |
| 표준 포장 | 15,000 | |
| 다른 이름 | BGS13S2N9E6327XTSA1TR SP001388326 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BGS13S2N9E6327XTSA1 | |
| 관련 링크 | BGS13S2N9E6, BGS13S2N9E6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | B32521C1154J | 0.15µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked Radial 0.512" L x 0.157" W (13.00mm x 4.00mm) | B32521C1154J.pdf | |
| SI7414DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8 | SI7414DN-T1-GE3.pdf | ||
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![]() | ERJ-S14J130U | RES SMD 13 OHM 5% 1/2W 1210 | ERJ-S14J130U.pdf | |
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![]() | EL4431N | EL4431N EL DIP8 | EL4431N.pdf | |
![]() | M538002-B1 | M538002-B1 ORIGINAL IC | M538002-B1.pdf | |
![]() | 636-25PM | 636-25PM THOMAS&BETTS SMD or Through Hole | 636-25PM.pdf | |
![]() | N378 | N378 ALPHA SOP-6 | N378.pdf | |
![]() | AD57672 | AD57672 ADI CDIP14 | AD57672.pdf | |
![]() | LA1178M-TE | LA1178M-TE SANYO SOP | LA1178M-TE.pdf | |
![]() | QU80C386EX2 | QU80C386EX2 INTEL SMD or Through Hole | QU80C386EX2.pdf |