창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BGA7H1N6E6327XTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BGA7H1N6 | |
| 종류 | RF/IF 및 RFID | |
| 제품군 | RF 증폭기 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 주파수 | 2.3GHz ~ 2.69GHz | |
| P1dB | -8dBm | |
| 이득 | 12.5dB | |
| 잡음 지수 | 0.6dB | |
| RF 유형 | LTE | |
| 전압 - 공급 | 1.5 V ~ 3.3 V | |
| 전류 - 공급 | 4.7mA | |
| 테스트 주파수 | - | |
| 패키지/케이스 | 6-XFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | TSNP-6-2 | |
| 표준 포장 | 15,000 | |
| 다른 이름 | SP001109130 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BGA7H1N6E6327XTSA1 | |
| 관련 링크 | BGA7H1N6E6, BGA7H1N6E6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
| SI5913DC-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 | SI5913DC-T1-GE3.pdf | ||
![]() | 7447629047 | 4.7µH Unshielded Inductor 510mA 900 mOhm Max Nonstandard | 7447629047.pdf | |
![]() | CMF6062R600FEEA | RES 62.6 OHM 1W 1% AXIAL | CMF6062R600FEEA.pdf | |
![]() | UPC8492A | UPC8492A NEC SMD or Through Hole | UPC8492A.pdf | |
![]() | SOM-158HNT | SOM-158HNT MITSUMI SMD or Through Hole | SOM-158HNT.pdf | |
![]() | HD6432353M09F | HD6432353M09F HITACHI QFP | HD6432353M09F.pdf | |
![]() | ADP3629ARM | ADP3629ARM ADI ADP3629ARM | ADP3629ARM.pdf | |
![]() | B65651D0160A048 | B65651D0160A048 EPCOS SMD or Through Hole | B65651D0160A048.pdf | |
![]() | 74S280MX | 74S280MX FSC 3.9mm | 74S280MX.pdf | |
![]() | BCR16DM-8 | BCR16DM-8 MITSUBISHI TO-220 | BCR16DM-8.pdf | |
![]() | IS25C08B-2ZLI-TR | IS25C08B-2ZLI-TR ISSI SMD or Through Hole | IS25C08B-2ZLI-TR.pdf |