창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BGA7H1N6E6327XTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BGA7H1N6 | |
종류 | RF/IF 및 RFID | |
제품군 | RF 증폭기 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
주파수 | 2.3GHz ~ 2.69GHz | |
P1dB | -8dBm | |
이득 | 12.5dB | |
잡음 지수 | 0.6dB | |
RF 유형 | LTE | |
전압 - 공급 | 1.5 V ~ 3.3 V | |
전류 - 공급 | 4.7mA | |
테스트 주파수 | - | |
패키지/케이스 | 6-XFDFN | |
공급 장치 패키지 | TSNP-6-2 | |
표준 포장 | 15,000 | |
다른 이름 | SP001109130 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BGA7H1N6E6327XTSA1 | |
관련 링크 | BGA7H1N6E6, BGA7H1N6E6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | MAL215054332E3 | 3300µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 8000 Hrs @ 105°C | MAL215054332E3.pdf | |
![]() | 1N6080US | DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF | 1N6080US.pdf | |
![]() | DG160M-3EC | AC/DC CONVERTER 18V 160W | DG160M-3EC.pdf | |
![]() | 103R-102FS | 1µH Unshielded Inductor 425mA 540 mOhm Max 2-SMD | 103R-102FS.pdf | |
![]() | RCP0603B75R0GEC | RES SMD 75 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603B75R0GEC.pdf | |
![]() | PIN6D38-7R4M | PIN6D38-7R4M EROCORE NA | PIN6D38-7R4M.pdf | |
![]() | STC89LE516AD | STC89LE516AD ORIGINAL QFP44 | STC89LE516AD.pdf | |
![]() | LTC3771EGN | LTC3771EGN LT SSOP | LTC3771EGN.pdf | |
![]() | SM16CXC334 | SM16CXC334 WESTCODE SMD or Through Hole | SM16CXC334.pdf | |
![]() | R2518AB-BC-E | R2518AB-BC-E ELPIDA BGA | R2518AB-BC-E.pdf | |
![]() | 5C-2159-BD | 5C-2159-BD ORIGINAL DIP-40L | 5C-2159-BD.pdf |