창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BGA231N7E6330XTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BGA231N7 | |
| PCN 포장 | Recyclable Glass Carrier 14/Oct/2014 | |
| 종류 | RF/IF 및 RFID | |
| 제품군 | RF 증폭기 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 주파수 | 1.55GHz ~ 1.615GHz | |
| P1dB | -5dBm | |
| 이득 | 16dB | |
| 잡음 지수 | 0.75dB | |
| RF 유형 | GPS | |
| 전압 - 공급 | 1.5 V ~ 3.6 V | |
| 전류 - 공급 | 4.4mA | |
| 테스트 주파수 | 1.575GHz | |
| 패키지/케이스 | 6-XFDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | TSLP-7-1 | |
| 표준 포장 | 6,000 | |
| 다른 이름 | BGA 231N7 E6330 BGA 231N7 E6330TR BGA 231N7 E6330TR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BGA231N7E6330XTSA1 | |
| 관련 링크 | BGA231N7E6, BGA231N7E6330XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SYM53CF96-2-100FP | SYM53CF96-2-100FP LSI SMD or Through Hole | SYM53CF96-2-100FP.pdf | |
![]() | 835L-1A-C-24VDC | 835L-1A-C-24VDC SONGCHUANG DIP | 835L-1A-C-24VDC.pdf | |
![]() | LM1117-3.3-5V | LM1117-3.3-5V ORIGINAL NA | LM1117-3.3-5V.pdf | |
![]() | 2110-H | 2110-H AMPIRE SMD or Through Hole | 2110-H.pdf | |
![]() | 70T3339S133BF1 | 70T3339S133BF1 IDT SMD or Through Hole | 70T3339S133BF1.pdf | |
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![]() | STM6717TIWY6F | STM6717TIWY6F STM SMD or Through Hole | STM6717TIWY6F.pdf | |
![]() | U6A994651X | U6A994651X ORIGINAL CDIP14 | U6A994651X.pdf | |
![]() | RINGAWG16-14/1 | RINGAWG16-14/1 DSGCANUSA SMD or Through Hole | RINGAWG16-14/1.pdf | |
![]() | NJM022M04+ | NJM022M04+ PLX 28-SOIC | NJM022M04+.pdf | |
![]() | LM710AMJ | LM710AMJ NSC DIP | LM710AMJ.pdf | |
![]() | L-H341007B | L-H341007B PARA DIP8 | L-H341007B.pdf |