창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BFU530AR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BFU530A | |
| 주요제품 | BFU5xx RF Transistors | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF 트랜지스터(BJT) | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 12V | |
| 주파수 - 트랜지션 | 11GHz | |
| 잡음 지수(dB 통상 @ f) | 0.6dB @ 900MHz | |
| 이득 | 18dB | |
| 전력 - 최대 | 450mW | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 8V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 40mA | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23(TO-236AB) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-11509-2 934067698215 BFU530A BFU530AR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BFU530AR | |
| 관련 링크 | BFU5, BFU530AR 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | BFC233920333 | 0.033µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.157" W (10.00mm x 4.00mm) | BFC233920333.pdf | |
![]() | RCR875DNP-121K | 120µH Shielded Inductor 670mA 360 mOhm Max Radial | RCR875DNP-121K.pdf | |
![]() | 61ABBU-A86004 | 61ABBU-A86004 ORIGINAL QFP | 61ABBU-A86004.pdf | |
![]() | ST11VTA | ST11VTA ST SMD or Through Hole | ST11VTA.pdf | |
![]() | RD4.3ES | RD4.3ES NEC DO-34 | RD4.3ES.pdf | |
![]() | DM54150J/883QS | DM54150J/883QS NSC CDIP | DM54150J/883QS.pdf | |
![]() | 90311-02 | 90311-02 PMI CDIP8 | 90311-02.pdf | |
![]() | CDRH5D28NP-5R3N | CDRH5D28NP-5R3N SUMI SMD or Through Hole | CDRH5D28NP-5R3N.pdf | |
![]() | TAG227-600 | TAG227-600 TAG TO-220 | TAG227-600.pdf | |
![]() | LWQ183-R2-2 | LWQ183-R2-2 OSRAM SMD or Through Hole | LWQ183-R2-2.pdf | |
![]() | EPA3507-100 | EPA3507-100 PCA SMD or Through Hole | EPA3507-100.pdf | |
![]() | K4D551638D-LC60 | K4D551638D-LC60 SAMSUNG TSOP | K4D551638D-LC60.pdf |