창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BFP740ESDH6327XTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BFP740ESD | |
PCN 포장 | Recyclable Glass Carrier 14/Oct/2014 Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 트랜지스터(BJT) | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 4.7V | |
주파수 - 트랜지션 | 45GHz | |
잡음 지수(dB 통상 @ f) | 0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz | |
이득 | 8.5dB ~30.5dB | |
전력 - 최대 | 160mW | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 160 @ 25mA, 3V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 45mA | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-82A, SOT-343 | |
공급 장치 패키지 | SOT-343 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BFP 740ESD H6327 BFP 740ESD H6327TR BFP 740ESD H6327TR-ND BFP740ESDH6327 BFP740ESDH6327XTSA1TR SP000785486 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BFP740ESDH6327XTSA1 | |
관련 링크 | BFP740ESDH6, BFP740ESDH6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
F17724222054 | 0.22µF Film Capacitor 310V 630V Polyester, Metallized Radial | F17724222054.pdf | ||
FCK4A/B/C/D/E | FCK4A/B/C/D/E china SMD or Through Hole | FCK4A/B/C/D/E.pdf | ||
CL21C1R5CBANNN | CL21C1R5CBANNN ORIGINAL SMD or Through Hole | CL21C1R5CBANNN.pdf | ||
DS4077L-BD0 | DS4077L-BD0 MAXIM NA | DS4077L-BD0.pdf | ||
STM8S207S8T6CTR | STM8S207S8T6CTR st SMD or Through Hole | STM8S207S8T6CTR.pdf | ||
HI-LO121SRS | HI-LO121SRS HUNIN PB-FREE | HI-LO121SRS.pdf | ||
LM103AH-2.7/883 | LM103AH-2.7/883 NS SMD or Through Hole | LM103AH-2.7/883.pdf | ||
SYC6264L-100SOP | SYC6264L-100SOP SYVANTEK SMD | SYC6264L-100SOP.pdf | ||
PHB110NQ08LT | PHB110NQ08LT PH SOT404TO-263D2PAK | PHB110NQ08LT.pdf | ||
CL10C561GAAC | CL10C561GAAC SAMSUNG SMD or Through Hole | CL10C561GAAC.pdf | ||
AM29LV008BT-120EI | AM29LV008BT-120EI AMD TSOP-48 | AM29LV008BT-120EI.pdf | ||
TSW-114-08-T-S-LA | TSW-114-08-T-S-LA Samsung SMD or Through Hole | TSW-114-08-T-S-LA.pdf |