창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BFP640FESDH6327XTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BFP640FESD | |
PCN 포장 | Recyclable Glass Carrier 14/Oct/2014 Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 트랜지스터(BJT) | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 4.7V | |
주파수 - 트랜지션 | 46GHz | |
잡음 지수(dB 통상 @ f) | 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz | |
이득 | 8B ~ 30.5dB | |
전력 - 최대 | 200mW | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 110 @ 30mA, 3V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 50mA | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | 4-TSFP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BFP 640FESD H6327 BFP 640FESD H6327-ND SP000890034 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BFP640FESDH6327XTSA1 | |
관련 링크 | BFP640FESDH6, BFP640FESDH6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
TS192F33IET | 19.2MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS192F33IET.pdf | ||
ERJ-6GEYJ305V | RES SMD 3M OHM 5% 1/8W 0805 | ERJ-6GEYJ305V.pdf | ||
ERA-8APB5230V | RES SMD 523 OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8APB5230V.pdf | ||
MRS25000C2748FRP00 | RES 2.74 OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C2748FRP00.pdf | ||
S-75V08ANC-5V2-TF | S-75V08ANC-5V2-TF SII sot353 | S-75V08ANC-5V2-TF.pdf | ||
0429004WRM 4A24V | 0429004WRM 4A24V LITTELFUSE 1206 | 0429004WRM 4A24V.pdf | ||
AM29C331-2GC | AM29C331-2GC AMD PGA-120P | AM29C331-2GC.pdf | ||
6JG11 | 6JG11 TOSHIBA SMD or Through Hole | 6JG11.pdf | ||
UCN5801LWTR | UCN5801LWTR ALLEGRO SOP-24 | UCN5801LWTR.pdf | ||
HR051040 | HR051040 HR SMD or Through Hole | HR051040.pdf | ||
JS336AB | JS336AB NS PLCC-44 | JS336AB.pdf |