Infineon Technologies BFP640FESDH6327XTSA1
- 제조업체 부품 번호
- BFP640FESDH6327XTSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- RF 트랜지스터(BJT)
- 간단한 설명
- TRANS RF NPN 4.5V 50MA 4TSFP
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BFP640FESDH6327XTSA1 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
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제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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- ₩ 357.22600
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BFP640FESDH6327XTSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BFP640FESDH6327XTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BFP640FESD | |
| PCN 포장 | Recyclable Glass Carrier 14/Oct/2014 Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF 트랜지스터(BJT) | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 4.7V | |
| 주파수 - 트랜지션 | 46GHz | |
| 잡음 지수(dB 통상 @ f) | 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz | |
| 이득 | 8B ~ 30.5dB | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 110 @ 30mA, 3V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 50mA | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | 4-TSFP | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BFP 640FESD H6327 BFP 640FESD H6327-ND SP000890034 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BFP640FESDH6327XTSA1 | |
| 관련 링크 | BFP640FESDH6, BFP640FESDH6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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