창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BCW32,215 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BCW31-33 | |
| 주요제품 | NXP - I²C Interface | |
| PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 32V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 210mV @ 2.5mA, 50mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23(TO-236AB) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-6120-2 933082791215 BCW32 T/R BCW32 T/R-ND BCW32,215-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BCW32,215 | |
| 관련 링크 | BCW32, BCW32,215 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
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![]() | SMCJ170A-HRA | TVS DIODE 170VWM 275VC DO-214AB | SMCJ170A-HRA.pdf | |
![]() | ABLS-3.579545MHZ-K4T | 3.579545MHz ±30ppm 수정 18pF 180옴 -40°C ~ 125°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ABLS-3.579545MHZ-K4T.pdf | |
![]() | MMBT2907X(2B) | MMBT2907X(2B) NATION SOT-23 | MMBT2907X(2B).pdf | |
![]() | SCX6225USD/V5 | SCX6225USD/V5 NS PLCC84 | SCX6225USD/V5.pdf | |
![]() | D1247T-AE | D1247T-AE ORIGINAL TO-92 | D1247T-AE.pdf | |
![]() | 0234+ | 0234+ Pctel SMD or Through Hole | 0234+.pdf | |
![]() | ISPLSI5256VE-100LFN256-80I | ISPLSI5256VE-100LFN256-80I LATTICE BGA | ISPLSI5256VE-100LFN256-80I.pdf | |
![]() | SML-110PTT86 | SML-110PTT86 ROHM ROHS | SML-110PTT86.pdf | |
![]() | NJM317F-TE1 | NJM317F-TE1 JRC TO-220F | NJM317F-TE1.pdf | |
![]() | S0ARG100KFJW | S0ARG100KFJW VISHAY SMD | S0ARG100KFJW.pdf | |
![]() | SL1021A090Y | SL1021A090Y Littelfuse SMD or Through Hole | SL1021A090Y.pdf |