창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BCR583E6327HTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BCR583 | |
| PCN 단종/ EOL | Multi Device EOL 4/Feb/2016 | |
| PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| 주파수 - 트랜지션 | 150MHz | |
| 전력 - 최대 | 330mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BCR 583 E6327 BCR 583 E6327-ND BCR 583 E6327TR-ND BCR583E6327 BCR583E6327BTSA1 BCR583E6327XT SP000012278 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BCR583E6327HTSA1 | |
| 관련 링크 | BCR583E63, BCR583E6327HTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D0R6DXXAC | 0.60pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R6DXXAC.pdf | |
![]() | ERJ-S12F6812U | RES SMD 68.1K OHM 1% 3/4W 1812 | ERJ-S12F6812U.pdf | |
![]() | CMKZ5261B | CMKZ5261B CENTRAL SMD or Through Hole | CMKZ5261B.pdf | |
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![]() | RTD2106 | RTD2106 ORIGINAL CAN | RTD2106.pdf | |
![]() | TLP251-1 | TLP251-1 TOS DIP4 | TLP251-1.pdf | |
![]() | Q2400-0031 | Q2400-0031 ORIGINAL SMD or Through Hole | Q2400-0031.pdf | |
![]() | ICM7218AIJI/ | ICM7218AIJI/ HAR DIP | ICM7218AIJI/.pdf | |
![]() | 21X7R473K25AT | 21X7R473K25AT KYOCERA SMD or Through Hole | 21X7R473K25AT.pdf | |
![]() | G3VN-61H1 | G3VN-61H1 OMRON SOP6 | G3VN-61H1.pdf |