창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BCR573E6327HTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BCR573 | |
| PCN 단종/ EOL | Multi Device EOL 4/Feb/2016 | |
| PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 1k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| 주파수 - 트랜지션 | 150MHz | |
| 전력 - 최대 | 330mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BCR 573 E6327 BCR 573 E6327-ND BCR 573 E6327TR-ND BCR573E6327 BCR573E6327BTSA1 BCR573E6327XT SP000010861 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BCR573E6327HTSA1 | |
| 관련 링크 | BCR573E63, BCR573E6327HTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | FQD5P20TM | MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK | FQD5P20TM.pdf | |
| RH050R1500FC02 | RES CHAS MNT 0.15 OHM 1% 50W | RH050R1500FC02.pdf | ||
![]() | K5W2G13ACM-DOD | K5W2G13ACM-DOD SAMSUN SSOP | K5W2G13ACM-DOD.pdf | |
![]() | 2N7330 | 2N7330 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2N7330.pdf | |
![]() | PBA50F-5-RN | PBA50F-5-RN COSEL SMD or Through Hole | PBA50F-5-RN.pdf | |
![]() | 110SM | 110SM TWN SOP8 | 110SM.pdf | |
![]() | HD-20P | HD-20P ORIGINAL SMD or Through Hole | HD-20P.pdf | |
![]() | AB-4.096MHZ-20-B-I-L2 | AB-4.096MHZ-20-B-I-L2 abracon SMD or Through Hole | AB-4.096MHZ-20-B-I-L2.pdf | |
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![]() | 595D107X0020E2T | 595D107X0020E2T VISHAY/SPRAGUE SMD | 595D107X0020E2T.pdf | |
![]() | SBXO-20 14.31818 | SBXO-20 14.31818 SBTRON SMD or Through Hole | SBXO-20 14.31818.pdf |