창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BCR555E6327HTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BCR555 | |
| PCN 단종/ EOL | Multi Device EOL 4/Feb/2016 | |
| PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| 주파수 - 트랜지션 | 150MHz | |
| 전력 - 최대 | 330mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BCR 555 E6327 BCR 555 E6327-ND BCR 555 E6327TR-ND BCR555E6327 BCR555E6327BTSA1 BCR555E6327XT SP000010855 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BCR555E6327HTSA1 | |
| 관련 링크 | BCR555E63, BCR555E6327HTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | RC1587MCT | RC1587MCT FSC TO-263 | RC1587MCT.pdf | |
![]() | BAS86-07 | BAS86-07 ORIGINAL SMD or Through Hole | BAS86-07.pdf | |
![]() | 1759020 | 1759020 PHOENIX/WSI SMD or Through Hole | 1759020.pdf | |
![]() | XCS30XL-3PQ208I | XCS30XL-3PQ208I XILINX QFP208 | XCS30XL-3PQ208I.pdf | |
![]() | 2SC3329 | 2SC3329 ORIGINAL TO92 | 2SC3329.pdf | |
![]() | A0003VA | A0003VA SHARP ZIP6 | A0003VA.pdf | |
![]() | CIG22H4R7MNE | CIG22H4R7MNE SAMSUNG SMD | CIG22H4R7MNE.pdf | |
![]() | 1825-030I | 1825-030I HP BGA | 1825-030I.pdf | |
![]() | ERZ14D241 | ERZ14D241 PANASONIC DIP | ERZ14D241.pdf | |
![]() | DLCBST-6-01 | DLCBST-6-01 RICHCO CALL | DLCBST-6-01.pdf |