창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BCR523UE6327HTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BCR523 | |
| PCN 단종/ EOL | Multi Device EOL 4/Feb/2016 | |
| PCN 포장 | Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| 트랜지스터 유형 | 2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 1k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | - | |
| 주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
| 전력 - 최대 | 330mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SC74-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BCR 523U E6327 BCR 523U E6327-ND BCR523UE6327XT SP000013381 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BCR523UE6327HTSA1 | |
| 관련 링크 | BCR523UE63, BCR523UE6327HTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | HCM498000000ABJT | 8MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | HCM498000000ABJT.pdf | |
![]() | AB-16.000MHZ-B2-T | 16MHz ±20ppm 수정 18pF 25옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/U | AB-16.000MHZ-B2-T.pdf | |
![]() | RG1005V-331-W-T5 | RES SMD 330 OHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005V-331-W-T5.pdf | |
![]() | AT24C02N/CH | AT24C02N/CH CHINA SOP | AT24C02N/CH.pdf | |
![]() | 125S15 | 125S15 Panasonic SMD or Through Hole | 125S15.pdf | |
![]() | LC895194-X85 | LC895194-X85 SANYO SMD or Through Hole | LC895194-X85.pdf | |
![]() | TLYE1008 | TLYE1008 TOSHIBA 16 L) 0.8(W) 0.6(H) | TLYE1008.pdf | |
![]() | 2SK4107(F,T) | 2SK4107(F,T) TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SK4107(F,T).pdf | |
![]() | L5A1075 | L5A1075 LSI DIP | L5A1075.pdf | |
![]() | XC6381A311PR | XC6381A311PR TOREX SOT89 | XC6381A311PR.pdf | |
![]() | VI451BN | VI451BN TOS DIP | VI451BN.pdf |