창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BCR198WH6327XTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BCR198 | |
PCN 단종/ EOL | Multi Device EOL 4/Feb/2016 | |
PCN 포장 | Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 47k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
주파수 - 트랜지션 | 190MHz | |
전력 - 최대 | 250mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT323-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BCR 198W H6327 BCR 198W H6327-ND SP000757912 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BCR198WH6327XTSA1 | |
관련 링크 | BCR198WH63, BCR198WH6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CC0201BRNPO8BN2R0 | 2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CC0201BRNPO8BN2R0.pdf | |
![]() | GRM1555C1H1R2CZ01D | 1.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1H1R2CZ01D.pdf | |
![]() | 90V143 | 90V143 ST SOP | 90V143.pdf | |
![]() | 32944 | 32944 TYCO SMD or Through Hole | 32944.pdf | |
![]() | 936662-2 | 936662-2 Tyco con | 936662-2.pdf | |
![]() | 6417760 SH-4 BP200Q | 6417760 SH-4 BP200Q RENESAS BGA | 6417760 SH-4 BP200Q.pdf | |
![]() | C3225X7R2J154KT | C3225X7R2J154KT TDK SMD | C3225X7R2J154KT.pdf | |
![]() | TNCB0J107MTRXF | TNCB0J107MTRXF HITACHI SMD or Through Hole | TNCB0J107MTRXF.pdf | |
![]() | DCX114EU | DCX114EU MSV SOT363 | DCX114EU.pdf | |
![]() | 2CL4/5 | 2CL4/5 ORIGINAL 90 20 45 | 2CL4/5.pdf | |
![]() | HFA1131IP | HFA1131IP HAR DIP8 | HFA1131IP.pdf | |
![]() | IDT7027S25PFGI | IDT7027S25PFGI IDT NA | IDT7027S25PFGI.pdf |