창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BCR198SH6327XTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BCR198 | |
PCN 단종/ EOL | Multi Device EOL 4/Feb/2016 | |
PCN 포장 | Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
트랜지스터 유형 | 2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 47k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | - | |
주파수 - 트랜지션 | 190MHz | |
전력 - 최대 | 250mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT363-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BCR 198S H6327 BCR 198S H6327-ND SP000757904 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BCR198SH6327XTSA1 | |
관련 링크 | BCR198SH63, BCR198SH6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
FN1L4M-T1B SOT23-M31 | FN1L4M-T1B SOT23-M31 NEC SMD or Through Hole | FN1L4M-T1B SOT23-M31.pdf | ||
PMB2220-SV2.3GEG | PMB2220-SV2.3GEG ORIGINAL SOT-252 | PMB2220-SV2.3GEG.pdf | ||
CC45SL3DD561JYPN | CC45SL3DD561JYPN TDK DIP | CC45SL3DD561JYPN.pdf | ||
D74LS112C | D74LS112C NEC DIP-16 | D74LS112C.pdf | ||
MN1021617HD | MN1021617HD PANASONIC QFP | MN1021617HD.pdf | ||
LTC1111 | LTC1111 LT SOP 8 | LTC1111.pdf | ||
APL60N06 | APL60N06 ANPEC TO-263 | APL60N06.pdf | ||
LZ93N33 | LZ93N33 SHARP QFP | LZ93N33.pdf | ||
54F32DC | 54F32DC TI DIP | 54F32DC.pdf | ||
DF9A-25S-1V(69) | DF9A-25S-1V(69) HRS SMD or Through Hole | DF9A-25S-1V(69).pdf | ||
B32360A4106J080 | B32360A4106J080 EPCOS SMD or Through Hole | B32360A4106J080.pdf | ||
IDT89H12NT12G2ZAHL8 | IDT89H12NT12G2ZAHL8 IDT 324 BGA | IDT89H12NT12G2ZAHL8.pdf |