창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BCR119E6327HTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BCR119 | |
PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 5mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
주파수 - 트랜지션 | 150MHz | |
전력 - 최대 | 200mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BCR 119 E6327 BCR 119 E6327-ND BCR119E6327BTSA1 BCR119E6327HTSA1TR-NDTR-ND BCR119E6327XT SP000010752 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BCR119E6327HTSA1 | |
관련 링크 | BCR119E63, BCR119E6327HTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
UFG1E330MEM1TD | 33µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | UFG1E330MEM1TD.pdf | ||
ELXM3B1VSN181MP35S | 180µF 315V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 7000 Hrs @ 105°C | ELXM3B1VSN181MP35S.pdf | ||
13008-004KESZ | 1000µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 4V 3024 (7660 Metric) 18 mOhm 0.299" L x 0.236" W (7.60mm x 6.00mm) | 13008-004KESZ.pdf | ||
0402F474Z100CT | 0402F474Z100CT PILKOR SMD or Through Hole | 0402F474Z100CT.pdf | ||
24602N | 24602N ORIGINAL SMD or Through Hole | 24602N.pdf | ||
TDA7303TR | TDA7303TR STMICRO-SGS-THOMSON SMD or Through Hole | TDA7303TR.pdf | ||
DAISYIB225 | DAISYIB225 LSI BGA | DAISYIB225.pdf | ||
PEB20258E | PEB20258E N/A N A | PEB20258E.pdf | ||
1808B471K302NT | 1808B471K302NT ORIGINAL SMD or Through Hole | 1808B471K302NT.pdf | ||
IP-272-CX | IP-272-CX IP SMD or Through Hole | IP-272-CX.pdf | ||
4S643232E-TC60 | 4S643232E-TC60 SAMSUNG TSOP | 4S643232E-TC60.pdf |