창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BCR116E6433HTMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BCR116 | |
PCN 단종/ EOL | Multi Device EOL 4/Feb/2016 | |
PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
주파수 - 트랜지션 | 150MHz | |
전력 - 최대 | 200mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | BCR 116 E6433 BCR 116 E6433-ND BCR116E6433XT SP000010751 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BCR116E6433HTMA1 | |
관련 링크 | BCR116E64, BCR116E6433HTMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 7022PHM | RELAY TIME DELAY | 7022PHM.pdf | |
![]() | RG3216N-4303-B-T5 | RES SMD 430K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216N-4303-B-T5.pdf | |
![]() | TNPW080516K2BEEN | RES SMD 16.2K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW080516K2BEEN.pdf | |
![]() | 100-6L0006-1 | 100-6L0006-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 100-6L0006-1.pdf | |
![]() | K4T51163QG-HCZG | K4T51163QG-HCZG SAMSUNG BGA | K4T51163QG-HCZG.pdf | |
![]() | H11G8 | H11G8 FAIRCHILI/VISHAY/QTC DIP SMD | H11G8.pdf | |
![]() | PIC17C762-16/PT | PIC17C762-16/PT MICROCHIP QFP | PIC17C762-16/PT.pdf | |
![]() | 2SB1275(F5) | 2SB1275(F5) RHM SMD or Through Hole | 2SB1275(F5).pdf | |
![]() | KDA0310-V | KDA0310-V SAM DIP28 | KDA0310-V.pdf | |
![]() | 71WS256NDOBAWYN | 71WS256NDOBAWYN SPANSION SMD or Through Hole | 71WS256NDOBAWYN.pdf | |
![]() | 6MBI75S-140-01 | 6MBI75S-140-01 FUJI SMD or Through Hole | 6MBI75S-140-01.pdf |