창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BCR108E6433HTMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BCR108 | |
| PCN 단종/ EOL | Multi Device EOL 4/Feb/2016 | |
| PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| 주파수 - 트랜지션 | 170MHz | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | BCR 108 E6433 BCR 108 E6433-ND BCR108E6433XT SP000010737 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BCR108E6433HTMA1 | |
| 관련 링크 | BCR108E64, BCR108E6433HTMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SR10-0.50-1% | RES 0.5 OHM 1W 1% SR10 | SR10-0.50-1%.pdf | |
![]() | LM1801N | LM1801N NS DIP | LM1801N.pdf | |
![]() | SN75DP122 | SN75DP122 TI QFN | SN75DP122.pdf | |
![]() | 74HCT154N | 74HCT154N PHI DIP24 | 74HCT154N.pdf | |
![]() | PT500 | PT500 GAI QFP | PT500.pdf | |
![]() | MJE171S | MJE171S FSC TO-126F | MJE171S.pdf | |
![]() | CIC806E | CIC806E CIC DIP-40 | CIC806E.pdf | |
![]() | 32P54IB-CH | 32P54IB-CH IDT PLCC28 | 32P54IB-CH.pdf | |
![]() | 600F4R7BT200T | 600F4R7BT200T ATC SMD | 600F4R7BT200T.pdf | |
![]() | CD42 120 M | CD42 120 M TASUND SMD or Through Hole | CD42 120 M.pdf | |
![]() | KHC250E335M32N0T00 | KHC250E335M32N0T00 THCSEEMTF ce-e1002k ce-all-e1002k-060905 pdf | KHC250E335M32N0T00.pdf | |
![]() | A22-H1 | A22-H1 Omron SMD or Through Hole | A22-H1.pdf |