창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BCR108E6327HTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BCR108 | |
| PCN 단종/ EOL | Multi Device EOL 4/Feb/2016 | |
| PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1616 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| 주파수 - 트랜지션 | 170MHz | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BCR 108 E6327 BCR 108 E6327-ND BCR108E6327 BCR108E6327BTSA1 BCR108E6327INTR BCR108E6327INTR-ND BCR108E6327XT SP000010736 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BCR108E6327HTSA1 | |
| 관련 링크 | BCR108E63, BCR108E6327HTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | C0603C759J5GACTU | 7.5pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C759J5GACTU.pdf | |
![]() | MBB02070C1622DRP00 | RES 16.2K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C1622DRP00.pdf | |
![]() | H4M37RA29A | H4M37RA29A Tyco con | H4M37RA29A.pdf | |
![]() | EGN21B140IV | EGN21B140IV EUDUNA/FUJITSU IV | EGN21B140IV.pdf | |
![]() | ADS822U | ADS822U BB SOP28 | ADS822U.pdf | |
![]() | BA3547F-E2 | BA3547F-E2 ROHM SOP | BA3547F-E2.pdf | |
![]() | IMISG529BXB | IMISG529BXB CYPRESS sop | IMISG529BXB.pdf | |
![]() | TPS7348QPW | TPS7348QPW ORIGINAL SMD or Through Hole | TPS7348QPW.pdf | |
![]() | CHV2240-99F/00 | CHV2240-99F/00 UMS SMD or Through Hole | CHV2240-99F/00.pdf | |
![]() | CBD03346AC | CBD03346AC NS PLCC-44 | CBD03346AC.pdf |