창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BCR108E6327HTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BCR108 | |
| PCN 단종/ EOL | Multi Device EOL 4/Feb/2016 | |
| PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1616 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| 주파수 - 트랜지션 | 170MHz | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BCR 108 E6327 BCR 108 E6327-ND BCR108E6327 BCR108E6327BTSA1 BCR108E6327INTR BCR108E6327INTR-ND BCR108E6327XT SP000010736 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BCR108E6327HTSA1 | |
| 관련 링크 | BCR108E63, BCR108E6327HTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | UPB451616T-600T-N | UPB451616T-600T-N YAGEO SMD | UPB451616T-600T-N.pdf | |
![]() | SSGM620200 | SSGM620200 ALPS SMD-4 | SSGM620200.pdf | |
![]() | MSM814400A-70 | MSM814400A-70 FUJI SOJ | MSM814400A-70.pdf | |
![]() | DB130020AC | DB130020AC NS SOP14 | DB130020AC.pdf | |
![]() | LT1120IS8#TR | LT1120IS8#TR LINEAR SOP8 | LT1120IS8#TR.pdf |