창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BCR 199L3 E6327 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BCR199 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 70mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 47k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 5mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| 주파수 - 트랜지션 | 200MHz | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-101, SOT-883 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TSLP-3 | |
| 표준 포장 | 15,000 | |
| 다른 이름 | BCR199L3E6327T SP000014880 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BCR 199L3 E6327 | |
| 관련 링크 | BCR 199L3, BCR 199L3 E6327 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
|  | AMC2576-5.0DDFT | AMC2576-5.0DDFT AMC TO-263 | AMC2576-5.0DDFT.pdf | |
|  | BDW84-S | BDW84-S bourns DIP | BDW84-S.pdf | |
|  | ZMM5V1 | ZMM5V1 ORIGINAL SMD 5.1V | ZMM5V1 .pdf | |
|  | M390S1723CT1C75/K4S280832C | M390S1723CT1C75/K4S280832C SAM DIMM | M390S1723CT1C75/K4S280832C.pdf | |
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|  | MT4S104T | MT4S104T TOSHIBA SMD or Through Hole | MT4S104T.pdf | |
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|  | SN74AHC1G08DBVR (Texas) | SN74AHC1G08DBVR (Texas) ORIGINAL TI | SN74AHC1G08DBVR (Texas).pdf | |
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|  | IRF614N | IRF614N IR TO-220 | IRF614N.pdf | |
|  | NRD476K10PMA | NRD476K10PMA NEC SMD or Through Hole | NRD476K10PMA.pdf |