창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BCR 191T E6327 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BCR191 (2006) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 22k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 22k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 50 @ 5mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
주파수 - 트랜지션 | 200MHz | |
전력 - 최대 | 250mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
공급 장치 패키지 | PG-SC-75 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BCR191TE6327XT SP000014789 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BCR 191T E6327 | |
관련 링크 | BCR 191T, BCR 191T E6327 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
K103Z10Y5VF5UH5 | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K103Z10Y5VF5UH5.pdf | ||
BK/S500-200-R | FUSE GLASS 200MA 250VAC 5X20MM | BK/S500-200-R.pdf | ||
NSVDTC113EM3T5G | TRANS NPN 50V 0.1A SOT723 | NSVDTC113EM3T5G.pdf | ||
Y11214K63000T9L | RES SMD 4.63K OHM 1/4W J LEAD | Y11214K63000T9L.pdf | ||
CMM21T-221M-S | CMM21T-221M-S CHILISIN SMD or Through Hole | CMM21T-221M-S.pdf | ||
UPD80C42-302 | UPD80C42-302 NEC Z | UPD80C42-302.pdf | ||
CL10B332KBNC(B 1608 3.3NF 50V) | CL10B332KBNC(B 1608 3.3NF 50V) SAMSUNG SMD or Through Hole | CL10B332KBNC(B 1608 3.3NF 50V).pdf | ||
HWAV-0 | HWAV-0 IDEC SMD or Through Hole | HWAV-0.pdf | ||
AT24C64B10PC5.0 | AT24C64B10PC5.0 ATMEL SMD or Through Hole | AT24C64B10PC5.0.pdf | ||
N1000ES | N1000ES VTI QFP | N1000ES.pdf | ||
AT29LV51215TU | AT29LV51215TU AT TSOP-32 | AT29LV51215TU.pdf | ||
M34520M8A-603SP | M34520M8A-603SP MITSUBISHI DIP | M34520M8A-603SP.pdf |