홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » BCR 191L3 E6327

Infineon Technologies BCR 191L3 E6327

BCR 191L3 E6327
제조업체 부품 번호
BCR 191L3 E6327
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
BCR 191L3 E6327 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 BCR 191L3 E6327 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. BCR 191L3 E6327 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BCR 191L3 E6327가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
BCR 191L3 E6327 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BCR 191L3 E6327 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BCR 191L3 E6327
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BCR191 (2006)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체Infineon Technologies
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황판매 중단
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)22k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)22k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce50 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
주파수 - 트랜지션200MHz
전력 - 최대250mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-101, SOT-883
공급 장치 패키지PG-TSLP-3
표준 포장 15,000
다른 이름BCR191L3E6327XT
SP000014875
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BCR 191L3 E6327
관련 링크BCR 191L3, BCR 191L3 E6327 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
BCR 191L3 E6327 의 관련 제품
GDT 1400V 20% 1.5KA THROUGH HOLE 2089-140-BT1LF.pdf
DIODE ZENER 12V 320MW SOD323 PZU12B2A,115.pdf
DIODE ZENER 30V 1W DO204AL 1N4751P/TR8.pdf
ICS/8705BYLF ORIGINAL SMD or Through Hole ICS/8705BYLF.pdf
X24165S1-27 ORIGINAL SMD or Through Hole X24165S1-27.pdf
RHE750S-1.67 RAYCHEM SMD or Through Hole RHE750S-1.67.pdf
GM73V1892H16 LGS SOP GM73V1892H16.pdf
3C1840DN8SM91 SAMSUNG SMD 3C1840DN8SM91.pdf
AD630ADZ-AIRBUS ANALOGDEVICES SMD or Through Hole AD630ADZ-AIRBUS.pdf
STC11F48-35I-LQFP44 STC LQFP44 STC11F48-35I-LQFP44.pdf