홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » BCR 116F E6327

Infineon Technologies BCR 116F E6327

BCR 116F E6327
제조업체 부품 번호
BCR 116F E6327
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
BCR 116F E6327 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 BCR 116F E6327 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. BCR 116F E6327 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BCR 116F E6327가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
BCR 116F E6327 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BCR 116F E6327 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BCR 116F E6327
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BCR116
PCN 단종/ EOLMultiple Devices 28/Feb/2008
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체Infineon Technologies
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황판매 중단
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)4.7k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce70 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
주파수 - 트랜지션150MHz
전력 - 최대250mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-723
공급 장치 패키지PG-TSFP-3
표준 포장 3,000
다른 이름BCR116FE6327XT
SP000013047
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BCR 116F E6327
관련 링크BCR 116F, BCR 116F E6327 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
BCR 116F E6327 의 관련 제품
420AXW56M16X30 RUBYCON SMD or Through Hole 420AXW56M16X30.pdf
S-1000N36-14T1G SEIKO SNT-4A S-1000N36-14T1G.pdf
BDB14 VAL SMD or Through Hole BDB14.pdf
ADS7834E(C34) BB MSOP8 ADS7834E(C34).pdf
MD1802FH ST TO-220F MD1802FH.pdf
IDTCV194APAG(P/B) IDT TSSOP-56 IDTCV194APAG(P/B).pdf
3852A282253A C-MAC SMD or Through Hole 3852A282253A.pdf
MC30390JTR ACI CAP MC30390JTR.pdf
LTC4266AIUHF-3#PBF linear QFN38 LTC4266AIUHF-3#PBF.pdf
VPS13S SANYO SIP-15 VPS13S.pdf
MSG02002 SAURO SMD or Through Hole MSG02002.pdf