창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BC858BLT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BC85xxLT1 Series | |
| PCN 설계/사양 | Gold to Copper Wire 08/May/2007 Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire Update 10/Sep/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1557 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 30V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 15nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BC858BLT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BC858BLT1G | |
| 관련 링크 | BC858B, BC858BLT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | RN60D33R2F | RN60D33R2F DALE SMD or Through Hole | RN60D33R2F.pdf | |
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![]() | WB-B-1W | WB-B-1W ORIGINAL SMD or Through Hole | WB-B-1W.pdf | |
![]() | SPMWHT5225D5WAR0S0_A3R4S2 | SPMWHT5225D5WAR0S0_A3R4S2 SAMSUNGLED SMD or Through Hole | SPMWHT5225D5WAR0S0_A3R4S2.pdf | |
![]() | P2SMSJ10A | P2SMSJ10A Yeashin SOD-123S | P2SMSJ10A.pdf | |
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![]() | H8ACSOCFACR-56M | H8ACSOCFACR-56M ORIGINAL SMD or Through Hole | H8ACSOCFACR-56M.pdf | |
![]() | TX5110B | TX5110B TCC DIP-18 | TX5110B.pdf | |
![]() | MLB1608080120AN2 | MLB1608080120AN2 MAGLAYERS SMD or Through Hole | MLB1608080120AN2.pdf |